结项论文《c-Si(Al2O3+SiO2)复合膜的制备及其热电特性》.docVIP

nc-Si:(Al2O3+SiO2)复合膜的制备及 其热电特性 陕西师范大学 郝培风，高斐，苗锟，刘立慧，孙杰， 权乃承，刘晓静，张君善 （陕西师范大学物理与信息技术学院，西安710062） 指导教师：高斐 副教授 摘要：400nm的铝膜，并在空气中温度为580℃的条件下退火1小时。在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si:(Al2O3+SiO2)复合膜。利用X射线衍射（XRD）（Raman）（SEM）740nm，估算出薄膜中纳米硅（nc-Si ）25nm。实验发现该nc-Si:(Al2O3+SiO2)复合膜有热电特性，研究了其电阻率及Seebeck系数随温度（293K～393K）的变化关系，在293K和393K该薄膜的Seebeck系数分别约为620μV/K和480μV/K。 关键词：热电薄膜；nc-Si:(Al2O3+SiO2)复合膜；热蒸发；Seebeck 系数 1. 引 言： 近年来环境污染、能源危机及某些器件的小型化的要求（如制冷器和发电机小型化等）等问题日益凸显，迫切需要一些新的能源转换技术解决这些问题。热电转换是具有潜能的能源转换技术之一，热电转换能够将热能无公害地转变成电能，而且具有无排放、无机械传动部分等优点[1]。目前较成熟的热电材料主要有Bi2 Te3[2,3,4,5]和PbTe [6]合金，这类材料的热电性能较好，但其大多资源相对稀少、制备复杂、高温易氧化、有毒、对环境不友好，这在一定程度上限制了这类材料的广泛应用。因此有必要寻找廉价、制备简单和环境友好型的热电材料。在纳米结构中的量子限制能够增加费米能级附近局域载流子的态密度，从而增加Seebeck系数，而纳米晶粒间的声子限制和声子散射可降低热导率 [7,8,9]。本文介绍一种简单的制备nc-Si:(Al2O3+SiO2)复合薄膜的方法，实验发现该薄膜具有热电效应，我们对该薄膜的结构和热电特性进行了研究。 2. 实 验 nc-Si:(Al2O3+SiO2)复合薄膜采用传统的真空热蒸发技术在石英衬底上蒸镀Al膜及退火制备。首先用RCA清洗技术清洗石英衬底并用高纯氮气吹干后放入沉积室，然后以纯度为99.999％Al颗粒作为蒸发源，用钨舟蒸发。热蒸发室的背景真空为2.0×10-4Pa，蒸发时衬底不加热，在石英衬底上蒸镀约400nm厚的Al膜。Al膜的厚度用台阶仪测量。最后将样品放入石英盒在空气中、580℃的环境中退火1h。 样品的结构特性用X射线衍射仪(Cu Kα，λ=0.154nm)）、XRD测量采用掠入射（5°）θ～2θ扫描模式。Raman测量采用输出波长为514.5nm的Ar+激光器作为激发源。样品的热电性能用其电阻率及Seebeck系数随温度（293K～413K）的变化来表征。采用稳态法测量样品的Seebeck系数，利用四探针电阻测试仪测量样品的电阻率。 3. 结果及分析 3.1 XRD结果分析 图1为已沉积Al和退火样品的XRD图谱，两条曲线在20.87°处都出现了一个宽的较强的峰，这来自衬底中的非晶SiO2的衍射。已沉积样品的XRD曲线只显示出Al的衍射峰，其衍射角分别为38.4°、44.7°、65°、78.2°和82.4°Al的（111）、（220）、（220）（311）和（222）XRD曲线中Al的衍射峰已消失，出现了结晶Si的衍射峰，衍射角分别为：28.4°、47.4°、56.2°、69.3°、76.4°88.1°，分别对应于Si的（111）、（220）、（311）、（400）、（331）（422）37.7°和66.7°处出现的衍射峰对应于Al2.144O3.2的（311）（440）Al2.1O3.2）。45.8°处衍射峰对应γ-Al2O3的（400）Scherrer公式[10]估算出Si晶粒的平均尺寸约为25nm。结果表明：经退火的样品中Al已完全被氧化，并出现了纳米晶硅（nc-Sinc-Si峰位得到其晶格常数为0.544nm，相对于块体Si（0.543）有所增大，可能是nc-Si受到了周围环境中的Al2O3 和SiO2的张应力而致。图1已沉积和退火样品的掠入射衍射图谱 Fig.1 XRD spectram of the as-deposited Al and the annealed samples. 3.2 Raman图谱分析 图2(a)给出了石英衬底、已沉积样品及退火样品的拉曼散射谱。从图中可以看到石英衬底和已沉积的样品没有出现任何特征峰，而退火样品在518.4cm-1处出现了一个较尖锐的Raman峰，该峰相对于块体Si（520cm-1）峰位发生了一定的红移，并且发生了不对称宽化。图2(b)为退火样品的Raman谱的高斯曲线拟合结果，它们的峰位分别为480cm-1、500cm-1和518cm-1