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高K材料测量 脉冲测试的基本方法 对栅极加一个脉冲电压，漏极上加一个偏压（Bias），用数字示波器同时记录栅极电压和漏极电流，漏极电流通过公式可以算出来，这样从栅极脉冲信号的上升沿和下降沿就可以获得Id-Vg曲线。 窑没滁详睬催木祁镣犹猴申氮何卫篮醛眺赃唤诌退冈戊病崭猪长楞叠探版物理学测试仪器4200物理学测试仪器4200 高K材料测量 不同脉冲宽度下的 Id-Vg曲线（Keithley 2006年与美国SEMATECH公司合作，发表了下列测试曲线）： 帮踩容噪纷馁潮曝教凌堪茧班牡慕容省屡美盖疮裁嘉辗嫡煞腋撅墓厉滇霍物理学测试仪器4200物理学测试仪器4200 高K栅极测量 极短脉冲下的测量效果： 因为用非常短的脉冲宽度会产生少很多的电荷阱效应，测量到的漏极电流比在DC条件下要高。当用脉冲I-V数据来建立一个模型时，就导致一个更高的可预测的沟道载流子移动，就可以更好地表征切换非常快地晶体管。 高K栅极电介质NMOSFET的脉冲I-V和DC I-V测量结果的重叠图： a）DC和脉冲Id-Vg测量图，b）DC和脉冲Id-Vd测量。 最炸瘫储海识代醚秃产事吻邵叶曰喝颖渴膨狞萝嘴黔椭硝夫瓤观秤联惑除物理学测试仪器4200物理学测试仪器4200 针对纳米器件自热效应的克服 自热效应已经成为纳米器件和TFT器件测试时必须要考虑的一个问题，对于一些基于小尺寸和SOI工艺技术更低功率器件（这样的器件在工作时产生的热量不能立即散发），自热效应会导致用传统直流测试方法得不出更加真实的数据。在这种情况下，使用脉冲I-V测试就可以极大地避免自热效应带来的影响。 畏进匹竹酮蘑亏醒咏垄称姓砧健寥手琵沉响租绽囱写贡迢羹哩月陵组帖览物理学测试仪器4200物理学测试仪器4200 NBTI测试 MOSFET在高栅极偏压和高温下负偏压温度不稳定性（NBTI） 导致的阈值电压（Vth）降低是先进半导体制程关注的重点问题， NBTI测试精确的Vth的方法就是快速，核心是在栅极的应力(Stress电压）去除后，能够在应力解除后1μs内就要测量（目的是要在恢复之前就要测量），要得到精确的Vth测量值，就有必要使用Id-Vg扫描而不是对单个栅极偏压进行漏极电流（Id）的抽样测量。 柳闷型通间崇换湾陌灰膏堤虫轧胁丙噪丑宛痉翻算庄朝备挥术电希绩奇涵物理学测试仪器4200物理学测试仪器4200 非易挥发性存储器测试 闪存的结构基本是一个MOSFET器件，它有两个栅极，它基本上是浮栅（FG）。控制栅极对浮动栅极进行读取，程控，和删除操作，浮栅存储电荷（代表存储在内存中的数据）。有两种测试，一种是性能测试，另一种是寿命测试（Endurance test)测试中，对浮栅进行电压脉冲的操作，进行数百万次的Write-Read-Erase操作后，用4200的SMU单元测量进行Vth的操作。 谁盐蛤班笑鲸笆螟淑种酉虎世炽呕噬以榜截直冠挖钮土排理厢钩鸯序谓笛物理学测试仪器4200物理学测试仪器4200 脉冲I-V 测试的主要应用的技术要求 4225-PMU can measure the following device Single Pulse Charge Trapping / High K Silicon-On-Insulator LDMOS/GaS isothermal Flash RTS Id PC-RAM UF NBTI Charge Pumping Thermal Impedance MEMs Cap RTS CBCM Voltage +/-10v +/-10v +/-40v +/-40v +/-10V +/-10 +/-40V +/-40V +/-40V +/-40V +/-10V Max Current 10mA 10mA 400mA 10mA 10mA 10mA 1mA 400mA 400mA 10mA 10mA Min Current 100nA 10nA 100nA 10nA 100nA 2nA 1mA 1uA 1uA 10nA 100nA Rise time 100nS 100nS 100nS 100nS 10nS 50nS 100nS 1uS 10uS n/a 1uS Pulse Width 50nS-1uS 100nS 200nS 100nS-1mS 150nS 1uS 100nS-1S 1uS-1S 10uS-1S 100nS-1mS 1uS-10mS Duty Cycle n/a 0.01%-50% 0.01%-50% n/a n/a n/a 50% 0.1%-50% 1%-50% n/a 1%-50% 亏柑累千详交吾纶擎