2010年元件工技师考试试卷..docVIP

中 国 南 车 股 份 有 限 公 司 2010年元件工技师理论知识考试试卷（A） 一、填空题(请将正确答案填在横线空白处, 每空1分，共20分) 1. 在本征半导体中掺入铝或镓可以形成 P _型半导体，掺入磷则可以形成 N _ 型半导体。 2. 半导体材料的分类方法有很多，按照化学组分，可分为 元素 半导体和 化合物 半导体。 3. Ⅴ族元素在硅中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质 ___；Ⅲ族元素在硅中电离时，能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称它们为__受主杂质___。 4单位体积中含有的杂质原子数称为___杂质浓度__，而杂质在一定温度下能溶入固体硅中最大的杂质浓度称为__固溶度____。 5.Ge的禁带宽度是__0.67eV ____，Si的禁带宽度是_1.12eV _____。 6. PN结体内扩散电流的数学表达式是 jd=q(np/τ) Ln ，PN结雪崩击穿电压与电阻率的关系表达式是__ VB=96ρn0.75___。 7. 将p-n结边缘磨一个斜角，可以降低表面电场。磨角的方向由高浓度层磨向低浓度层，低浓度层磨得多，称为 V ；磨角的方向由低浓度层磨向高浓度层，高浓度层磨得多，称为___负斜角__ _。 8. 关断时间与基区的少子寿命成_正比__。 9. 衡量气体压强的单位通常有Torr、Pa、bar等, 1 Torr=__133.32____Pa=___1.33×10-3__bar。 10. 晶闸管可以看作由_2__个三极管构成、导通条件为_____α1 +α2 1____。 11.在H2SO4中，元素S的化合价为 +6 价。二、选择题(请将正确答案的代号填入括号内,每题1分,共15题15分) 1.晶闸管阴极面上设置短路点是为了提高元件的( B )。(A) (B) (C)开通时间 2.元件VTM参数测试时与（C）无关。(A)温度 (B)门极 (C)电压 3. ( C ) 以下哪种描述是错误的。 (A) 门极触发可以使晶闸管开通； (B) 过电压可以使晶闸管开通 (C) di/dt可以使晶闸管开通 4.( A ) 封装管芯时，管壳内应充氮气做为保护气体。氮气的压力应： (A)小于大气压 (B)等于大气压 (C)大于大气压 5.( A ) 铝、镓、硼三种杂质源在硅中扩散系数最大的是： (A)铝 (B)镓 (C)硼 6.( A ) pH值为6的溶液是 溶液。 (A)酸性 (B)中性 (C)碱性 7.( A ) 在生成SiO2的过程中需要通入和O2和H2O,H2O的作用是 (A)提高氧化速度； (B)降低氧化速度： (C)与氧化速度无关 8.( A ) SiO2膜：。 (A)对某些杂质有掩蔽能力； (B)对所有杂质有掩蔽能力 (C) 对杂质无掩蔽能力 9.( A )不对硅片沾润质量产生影响的因素是。 (A)硅片厚度 (B)真空度(C) 烧结温度 10.( C )经过一定剂量的电子辐照后晶闸管门极电流如何变化？ (A)减小(B)基本不变(C)增大三、判断题(正确的请在括号内打√,错误的打×,每题1分,共15题15分) 1.只要在阴极和阳极加上电压，晶闸管就可以导通。( ×) 2.在电场作用下，空穴移动方向与电子移动方向是相同的。( × ) 3. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受一定正向电压的情况下晶闸管才导通。 （ ) 4.PN结的雪崩击穿电压与温度无关。(× ) 5.硅原子结构最外层有4个电子。( ) 6.半导体器件的电学性能不受温度影响。( × ) 7. 逆变就是把直流电变成交流电。( ) 8.稀释浓硫酸时，应先在容器中倒入浓硫酸，然后再倒入水。( × ) 9. 晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和快速晶闸管。( ) 10.半导体制造工艺使用的化学试剂只要是化学纯即可。(× )。 四、简答题(每题5分,共4题20分) 1.平均自由程 答:气体分子连续两次碰撞之间所经过的平均距离叫平均自由程。 2.在晶闸管元件制造中，一扩在1280℃下扩散9小时，结深为80微米。现在结深要求为60微米，问在同样条件下扩散，需要多长时间? 已知t1=9H, X1=80um, X2=60um由公式 X=k 可知X12/t1=X22/t2t2=(X12/X22)t1=(602/802)×9=5.06(H) 答：结深要求为60um，需要扩散大约5小时 3. PN结承受反向偏压的能力与那些因素有关? 答：PN结承受反向偏压的能力与基区电阻率的高低、基区宽度、扩散结深以及结附近杂质浓度的分布等因素有关。