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二极管 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode); 一：二极管的物理结构 1.1共价键 1.2 PN结 1.3伏安特性 1.31二极管的反向击穿 齐纳击穿 在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 雪崩击穿 另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使少子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。 1.4二极管的主要参数及符号 最大整流电流IF 最大反向工作电压UR 反向电流IR 最大工作频率fM 1.5二极管的等效电路（理想） 1.51虑正向压降的等效电路 1.6二极管分类 1.61按材料分类： 按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。 1.62管芯结构 1.7二极管的应用 1.71整流 1.72限幅 1.73开关 1.74检波 * Si Si Si Si 价电子 空穴 。 自由电子 失去一个电子变为正离子 上一页 下一页 返 回 。 上一页 下一页 返 回 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型区 N 型区内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。扩散和漂移达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 空间电荷区，即PN结 （耗尽层） 上一页 下一页 返 回 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 正向特性 反向特性 U I 死区电压 P N + – P N – + 上一页 下一页 返 回 阳极 阴极 iD uD 0 D 特性曲线的近似 等效电路 特性曲线的近似 等效电路 iD uD UD 0 按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。 按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。 金属支架 正极引线 负极引线 金锑合金 P型硅 铝合金小球 N型硅片 阳极引线 阴极引线 N型锗片 金属触丝 管壳 利用二极管的单向导电特性将交流电 变成单方向脉动直流电。 限幅是指限制输出信号幅度 。 通过E控制二极管VD通断来实现 信号ui何时传输到输出端 。 *