集成电路制造工艺41266.pptVIP

集成电路设计与制造的主要流程框架 掩模制作 芯片制造过程 集成电路制造工艺 氧化硅层的主要作用 在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，器件的组成部分。 扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层。 作为集成电路的隔离介质材料。 作为电容器的绝缘介质材料。 作为多层金属互连层之间的介质材料。 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料。 氧化工艺 热氧化法 干氧氧化 水蒸汽氧化 湿氧氧化 干氧－湿氧－干氧(简称干湿干)氧化法 氢氧合成氧化 化学气相淀积法 物理气相淀积法 氧气氧化设备 化学汽相淀积(CVD) 化学汽相淀积(Chemical Vapor Deposition)：通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。 CVD技术特点： 具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点。 CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等。 物理气相淀积(PVD) 掺杂工艺 常用扩散方法 横向扩散 离子注入系统 光刻工艺流程 正性胶与负性胶光刻图形的形成 金属化工艺 集成电路中各元器件表面要制备电极，元器件间要实现互连，这些都要通过金属化工艺实现。 在管芯表面有关位置绝缘层上用光刻方法刻出引