第2章 集成电路工艺基础及版图设计2.ppt

图2 - 20 总的栅极电容与UGS的关系 MOS管总的栅极电容的某些成分和栅极电压有紧密联系， 但总的栅极电容只有在开启电压附近随UGS变化较大（图2 -20）， 其它区域均近似等于栅氧化层电容C0。 对于数字电路中的开关式器件， UGS可以很快通过该区域， 因此， 通常可以认为 （2 -21） 3. 扩散区电容 ?MOS管的源区和漏区都是由浅的N+扩散区或P+扩散区构成的， 扩散区也用作互连线。 这些扩散区对衬底（或阱）就有寄生电容存在， 寄生电容的大小与将扩散区和衬底（或阱）隔开的耗尽层的有效面积成正比， 与扩散区和衬底（或阱）之间的电压有关。 由于扩散区总是有一定深度的， 扩散区对衬底（或阱）的结面积就包括底部面积和周围的侧壁面积两部分（如图2 -21所示）。 扩散区的厚度往往可以看成一个常数， 这样侧壁面积就和侧壁周长成正比。 因此, 总的扩散电容可表示为 ? Cd=Cja(a×b)+Cjp(2a+2b) （2 -22） ? 式中： Cja——扩散区底部每平方微米的扩散电容； Cjp——扩散区侧壁每微米周长的扩散电容； a, b——