光电技术第3讲(免费阅读).pptVIP

主讲人:张建寰 教授 单 位:机电工程学院测控技术研究所 2012.04.21 上节内容回顾 1、辐射体分类及其温度表示 2、辐射度参量与光度参数的关系 3、半导体对光的吸收 物质对光吸收的一般规律 半导体对光吸收 4、光电效应 光电导效应 光生伏特效应 本节内容预告 1、光电发射效应 2、光电导器件 光敏电阻的原理与结构 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的变换电路 光敏电阻的应用实例 光敏电阻的原理与结构 光敏电阻的基本原理 光敏电阻的原理图和符号如图所示。 在均匀具有光电导效应的半导体材料的两端加上电极，便构成光敏电阻。 光敏电阻的基本结构 光敏电阻在微弱辐射作用下，光电导灵敏度与光敏电阻两极间的距离的平方成反比。强辐射作用下，灵敏度与两电极间的二分之三次方成反比。因此灵敏度与两电极间的距离有较大的关系。 为提高灵敏度，应尽量缩短光敏电阻两电极间的距离。此为光敏电阻结构设计的基本原则。 三种结构的光敏电阻。 梳状电极 蛇形光敏面的 刻线式光敏材料加电极 典型的光敏电阻 CdS光敏电阻 该电阻是最常见的光敏电阻，其光谱响应特性接近人眼的光谱光视效率V(λ)，可见其在可见光波段范围内的灵敏度最高，因此被广泛应用于灯光自动控制，以及照相机的自动测光等方面。 CdS光敏电阻制备方法：蒸发、烧结或粘接 一般会将CdS与CdSe配合使用。或在CdS中加入Cu或Cl，使其同时具有本征和杂质半导体器件的特性。使光敏电阻的探测范围向红外波段延伸，峰值响应波长也延长。 CdS光敏电阻的峰值响应波长为0.52um， CdSe光敏电阻的峰值响应波长为0.72um，通过调整S和Se的配比，使光敏电阻的峰值响应变化，达到与人眼相近的波长。 CdS光敏电阻一般制成蛇形光敏面结构。 表一列出了该光敏电阻的特性参数。 温度特性 光敏电阻为多数载流子导电的光电器件。温度特性复杂。 温度特性与光电导材料有密切关系。不同材料的光敏电阻有不同的温度特性。 图中为CdS和CdSe光敏电阻在不同照度下的温度特性曲线。以室温的相对光电导率为100%，观测光敏电阻的相对光电导率随温度变化关系。可以看出，光敏电阻的相对光电导率随温度升高而下降，光电响应特性随着温度的变化较大。因此在温度变化较大的场合，应采取制冷措施。降低或控制光敏电阻的工作温度是提高光敏电阻工作稳定性的有效办法。对红外波长红外辐射探测的领域更为重要。 时间响应 光敏电阻的时间响应又称为惯性，比其他光电器件要差，即惯性大些。频率响应低一些。 当用一个理想方波脉冲照射光敏电阻时，光生电子要有产生的过程，光生电导率要经过一定时间才能达到稳定，当停止辐射时，复合光生载流子也需要时间消失，因此表现出较大的惯性。 光敏电阻的变换电路 光敏电阻的阻值或电导随入射辐射量的变化而改变，因此，可以用光敏电阻将光学信息变换为电学信息。但电阻或电导值的变化信息不能直接被人所接受，须将电阻或电导值的变化转为电流或电压信号输出，完成该转换工作的电路称为光敏电阻的偏置电路或变换电路。 光敏电阻的光谱响应 与光敏材料的禁带宽度、杂质电离能、材料掺杂比与掺杂浓度等因素有关。 * 光电技术第三讲 光电发射效应 当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子,这种现象称为光电发射效应或外光电效应. 只有光子能量大于光电发射材料的光电发射阈值,才有电子飞出光电发射材料进入真空. 导带 禁带 价带 对于金属材料有: 对于半导体材料,导带中的电子 对于半导体材料,价带中的电子 对于半导体材料,光电发射长波限为: 光电发射器件具有不同于内光电效应的特点: 1、光电发射器件中的导电电子可以在真空中运动，因此，可以通过电场加速电子运动的动能或通过电子的内倍增系统提高光电探测灵敏度，使它能够快速探测极其微弱的光信号，成为像增强器与变像器技术的基本单元。 2、易制作大的面积均匀的光电发射器件，使其在光电成像器件方面有利，一般真空光电成像器件的空间分辨率要高于半导体光电图像传感器； 3、光电发射器件需要高稳定的高压直流电源设备，使整个探测器体积庞大，功率损失大，不适于野外操作，造价高； 4、光电发射器件的光谱响应范围一般不如半导体器件宽。 作业： 1、试计算100W标准钨丝灯在0.2sr范围内的光通量； 2、若甲乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为： 比较两厂的光电器件的灵敏度高低。 3、已知本征硅材料的禁带宽度1.2eV，求本征吸收波长。 光电导器件 某些物质吸收光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变物质电导率的现象，称为物质的光电导效应。 利用具有光电导效应的材料（本征半导体硅、锗等，杂质半导体、硫化镉、硒化镉