Ansys_result热仿真步骤.doc

基于混合集成电路的SSR电路模块热分析 一、结构模型 该模型采用安捷伦ADS2011系统设计软件及CATIA三维建模软件完成建模工作，模型如下图所示： 图1 电路模块模型 模型中，主要部分材料设置如下表所示： 表1 模型材料设置 序号 功能组件 材料设置 1 壳体 不锈钢 2 盖板 可伐合金 3 引线 铜 4 绝缘子 玻璃 5 变压器磁芯 PC40 6 电路基板 Al2O3（96%） 7 金丝键合线 金 8 铝丝键合 铝 9 布线层 钯 10 芯片 硅 11 绝缘层 聚酰亚胺（暂定） 二、稳态热分析 2.1 模型导入及网格划分 稳态热分析采用Ansys Workbench 14软件，即将前述电路模块三维模型导入软件当中进行分析，模型导入结果如图2所示： 图2 待分析电路模块三维模型（盖板隐藏） 对上述模型进行网格划分，网格划分重点区域为芯片及其周围区域，如图3所示： 图3 待分析电路模块三维模型网格划分 2.2 施加内部热源及外部边界条件 该电路模块主要产热热源主要包括：1）大功率MOS芯片；2）其它芯片；3）大电流引线；4）变压器；5）印刷电阻；由于电路模块采用密封封装，因此上述部分产生的热量主要传导路径为： 1）元器件→焊接层→陶瓷基板→焊接层→外壳（对流散热） 2）电极引线→玻璃绝缘子→外壳（对流散热） 各内部热源的产热功率（大致估算）如下表所示： 表2 各热源的产热功率 序号 热源 功率 1 电阻R1 60mW 2 电阻R2 18mW 3 电阻R3 18mW 4 电阻R4 5mW 5 电阻R5 5mW 6 D1 1.4mW 7 D2 1.4mW 8 D3 1.4mW 9 Z1 15.6mW 10 Z2 3.96mW 11 VDMOS 6.8W 12 变压器 20mW 13 10A电流引线 35mW 分别针对常温25℃及最高工作温度85℃的温度条件，同时采用不同的对流散热系数进行稳态热分析。 2.2 分析结果 分析结果如图4~图8所示： 图4 对流散热系数20W/m℃（25℃） 图5 对流散热系数30W/m℃（25℃） 图6 对流散热系数40W/m℃（25℃） 图7 对流散热系数40W/m℃（85℃） 图8 对流散热系数70W/m℃（85℃） 从上述分析结果可以看出，目前采用的封装壳体过小，导致环境温度为25℃时需要强制对流散热才能确保内部芯片结温＜150℃，而环境温度为85℃时将无法正常工作。 注：现在我正在对管壳体积与散热效果之间的关系进行仿真分析，有结果会及时发给你们，咱们沟通完后作为明年设计管壳的依据。 附件中的另一个文件是电路模块的三维模型，一般的三维建模软件都可以打开，只要将其导入到任意附带热分析的CAE软件中均可进行热分析。 另外，我又跟制作管壳的单位联系了一下，确认目前常用的10A电流引出杆的最小直径为Φ2，不知道你们那边有没有合适的管壳？