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第8章 晶体三极管及基本放大电路
【思8.1.1】不能互换。因为集电区的掺杂浓度比发射区的掺杂浓度低。
【思8.1.2】不相同,在饱和区时其集电极电流基本上达到最大值,在截止区时其集电极电流很小,近似为零,这两种情况下电流放大系数均很小,在放大区时,电流放大系数最大。
【思8.1.3】选用前一个三极管较好,虽然它的电流放大系数小,但它的穿透电流小,所以,它的热稳定性就较好。
【思8.1.4】能确定它的直流电流放大系数,≈50,但不能确定它的交流电流放大系数。因为交流放大倍数是晶体管工作在动态(有输入信号)时△IC与△IB的比值。通常有≈β。
【思8.2.1】调节RB使基极电位VB升高,则IB增大,IC也增大,UCE则减小,VC也减小。
【思8.2.2】当三极管放大电路加上直流电源后,若输入信号为零,此时电路中存在的直流成分在输出特性曲线上所对应的点叫静态工作点,合适的静态工作点可使放大电路减少非线性失真。
【思8.2.3】若RC不变,则tanα=-1/RC也不变,所以直流负载线的斜率不变,此时增大UCC则直流负载线平行向右上方移动,减小UCC,则直流负载线平行向左下方移动,如图9-2所示曲线(1)。若UCC不变,则直流负载线在输出特性横轴上的截距不变,此时增大RC,则tanα=-1/RC减小,直流负载线变平坦,减小RC,则直流负载线变陡,如图8-2所示曲线(2)。
图8-2 思考题8.2.3的电路图
直流负载线的斜率为tanα=-1/RC(此时RL不加考虑),它反映了静态电流IC与电压UCE之间的变化关系。而交流负载线反映的是动态时电流iC和电压uCE之间的变化关系,它的斜率为tanα'=-1/RL,因为RC,所以交流负载线比直流负载线要陡些。直流负载线和交流负载线都必须经过静态工作点Q。
【思8.2.4】因为三极管放大电路的输入电阻ri越大,从信号源上分得的电压就越高,同时也减轻了信号源的负担,所以,三极管放大电路的输入电阻高些好。若三极管放大电路的输出电阻ro越小,其带负载后,ro上分压就越小,负载变化时负载两端电压变化小,即带负载能力强,所以,三极管放大电路的输出电阻低些好。三极管放大电路的带负载能力是指三极管放大电路带负载后,其输出电压下降的变化量,输出电压下降越多,带负载能力就越弱,输出电压下降越少,带负载能力就越强。
【思8.2.5】在分压式偏置电路中,若I2IB和VB UBE,一般情况下,对硅管而言,当I2=(5~10)IB、VB=(5~10)UBE时,可使静态工作点稳定。其稳定静态工作点的过程为T(℃)↑→IC↑→IE↑→VE↑→UBE=(VB-VE)↓→IB↓→IC↓。发射极电阻的旁路电容CE的作用是对直流而言,可看成断路不起作用,电路通过RE的作用能使静态工作点稳定;对交流而言,它因与RE并联且可看成短路,所以RE不起作用,使电路的电压放大倍数不会因为其负反馈作用而下降。
【思8.2.6】在分压式偏置电路中,因为,VB≈UCC,IC≈IE=≈,所以,IC和VB一样,与三极管的参数无关,不受温度变化的影响,即更换同一类型的三极管对放大电路的静态值无影响。
【思8.3.1】放大电路在高频段,由于三极管存在极间电容和联线分布电容,它们等效到输出端的电容Co不能看成开路,对高频段信号的容抗将减小,Co与输出端的电阻并联后,可使总输出阻抗减小,因而使输出电压减小;再就是在高频段,载流子从发射区到集电区需要一定的时间,若频率很高,在正半周载流子尚未全部到达集电区时,输入信号就已改变了极性,这就使集电极电流的变化幅度下降,因而β值降低,即电压放大倍数将下降,所以,电压放大倍数将随着信号频率的升高而降低。
放大电路在低频段,虽然耦合电容和发射极旁路电容的容量较大,但由于低频段信号频率较低,耦合电容和旁路电容的容抗较大,其分压作用不能忽略,故放大倍数要下降,所以,电压放大倍数将随着信号频率的降低而下降。
【思8.3.2】通频带BW表明了放大电路对不同频率输入信号的响应能力。通常要求低频放大电路的通频带要宽一些,让非正弦信号中幅值较大的各次谐波频率都在通频带的范围内,其放大倍数不变,尽量减小频率失真。同时对测量仪器(如晶体管电压表)测量不同的频率信号时,电压放大倍数应该尽量做到一样,以免引起误差,所以放大电路的通频带要宽一些。
【思8.3.3】一般情况下,虽然多级放大电路的电压放大倍数增加了,但它的通频带却变窄了,而且比组成它的任何一级单个放大电路的通频带都要窄,其幅频特性如图8-3所示。其中曲线(1)为两个单级放大电路的频率特性,曲线(2)为组成两级放大电路后的频率特性。
图8-3 多级和单级放大电路频率特性的比较
【思8.3.4】放大电路对不同频率的信号在幅度和相位上的放大效果是不完全一样的,输出信号不能重现
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