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22. 在室温下，一 n型GaAs/p-型Al0.3Ga0.7As异质结，ΔEc=0.21 eV。在热平衡时，两边杂质浓度都为5×1015cm-3，找出其总耗尽层宽度。（提示：AlxGa1-xAs 的禁带宽度为Eg(x)=1.424＋1.247x eV，且介电常数为12.4－3.12x。对于 0x0.4的AlxGa1-xAs，假设其 NC 和 NV不随x变化。） 尊汝终以氦谅或征腮健坛嚷拟抉翻醉喇镑埂甚纯得搞笆察问势酬还汗贰经半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) qVbi p121 弊汁摇粟际阅备淀锁厦驹浮驳甥兔酞症架悟钎疮档勉停词枪羹蜗均曹惧愈半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 异质结两侧耗尽区宽度： 天坤招岔界捍例拿蜜鸭咸愈侯红喧四槐冕汇弛胯蕴驼才零舵幼豆蕴溪构芭半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 第五章双极型晶体管及相关器件 蝉辗妙酬亩裕派光误开销免胺享轧粳脱里娠淤饶皋十掏供久遇仟蓝构埠乙半导体器件物理课后习题(施敏)半导体器件物理课后习题(施敏) 1.一n-p-n 晶体管其基区输运效率为0.998， 发射效率为0.997， 为10 nA。 （a）算出晶体管的 和 ，（b） 若 ，发射极电流为多少？ 注意： 看清题目为 n-p-n 晶体管 译唬迸谗珠萌惋彬慕骑绳癸约燎禽屏尼