2014-AlGaN-GaN异质结构场效应晶体管的I-V特性-修改版试题.doc

学号： 14101601173 毕业设计（论文） 题 目： AlGaN-GaN异质结场效应晶体管的I-V特性研究 作 者 彭坤 届 别 2014 学 院 物理与电子学院 专 业 电子科学与技术 指导老师 文于华 职 称 讲师 完成时间 2014.05 摘要 GaN基电子器件最重要的代表之一是AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，这是因为它具有高饱和电流、比较高的跨导和较高的截止频率与很高的击穿电压等独特的物理性质。该论文正是以AlGaN/GaN异质结的基本物理特性作为研究基础来研究AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管的I-V特性。在考虑到AlGaN/GaN异质结中的自发极化与压电极化效应的物理现象基础上，采用二维物理分析模型计算AlGaN/GaN HEMT 器件的I-V特性，得到了较满意的结果。 关键词：AlGaN/GaN;I-V特性;场效应晶体管,截止频率。 Abstract One of the most important electronic device representative of the GaN-based AlGaN / GaN heterostructure field effect transistor, because it has a high saturation currents and high transconductance and a high cutoff frequency of the high breakdown voltage, and other unique physical properties. The paper is the basic physical characteristics of AlGaN / GaN heterostructures as a research foundation to study the IV characteristics of AlGaN / GaN heterostructure field-effect transistor. Basic physical phenomena of spontaneous polarization and piezoelectric polarization effects, taking into account the AlGaN / GaN heterostructures on the analysis of two-dimensional physical model AlGaN / GaN HEMT device IV characteristics obtained satisfactory results. Keywords: AlGaN / GaN; IV characteristics; field-effect transistor, the cutoff frequency. 目录 摘要 2 Abstract 3 目录 4 第1章 绪论 4 1.1 GaN材料的物理特性 4 1.2 GaN材料与电子器件的优势及意义 6 1.3 国内外对本材料的研究动态 7 第2章 Al(Ga)N/GaN异质结构的基本物理原理 8 2.1 Al(Ga)N/GaN异质结构的形成 8 2.2 AlGaN/GaN异质结中二维电子气的产生机理 8 2.3 二维电子气的分布 10 第3章Al(Ga)N/GaN 场效应晶体管器件的电流-电压（I-V）特性模型 11 3.1 二维分析模型 11 第4章 模拟结果图与数值分析 14 4.1二维模型数值分析结果 14 第5章 结束语与未来工作展望 15 5.1 结束语 15 5.2 未来的工作展望 15 参考文献 16 致谢 17 第1章 绪论 1.1 GaN材料的物理特性 GaN材料具有比较宽的直接带隙，高的热导性，化学性质很稳定，因为其有强的原子键，所