MEMS设计与工艺解析.pptVIP

总结 工艺集成 表面工艺、体硅工艺 IC与MEMS集成 实例 淀积Poly－Si，PSG，退火七次光刻，DRIE MUMPS工艺 八次光刻，剥离，湿法去除光刻胶和金属HF释放结构 MUMPS工艺 7、Sandia SUMMIT工艺 5层多晶硅技术 复杂结构 Sandia SUMMIT工艺 0层多晶硅 Sandia SUMMIT工艺 1层二氧化硅1层多晶硅 Sandia SUMMIT工艺 2层氧化硅2层多晶硅 Sandia SUMMIT工艺 3层氧化硅3层多晶硅 Sandia SUMMIT工艺 Sandia SUMMIT工艺 DMD微镜 DMD微镜 DMD微镜 SCREAM 工艺 Sealed-cavity DRIE 工艺 多MEMS器件及MEMS器件与IC的集成加工技术：实现微系统多功能、高性能和低成本的基础。 加速度、温度、湿度、压力传感器集成 MEMS与IC集成 MEMS与IC集成 存在的问题 工艺比较 集成方案比较 集成方案及代表 CMOS first CMOS first MEMS first 微加工技术发展趋势 三维组装与封装技术键合：低温、多材料、多层自组装技术：封装：与外界的机、电、热、光、物质交换接口等。 三自由度加速度封装 多层键合 非硅加工技术 ：金属材料、聚合物材料、陶瓷材料等的微加工技术及其与硅基微加工技术的兼容性；基于柔性衬底的微加工技术。柔性衬底传感器 微加工技术发展趋势 需重点考虑残余应力问题 实例 密封腔制备工艺 锥尖制备工艺 氧化、光刻、刻蚀 腐蚀 氧化 光刻、溅射、剥离 锥尖制备工艺 隧道式加速度传感器 北京大学 麦克风 清华大学 MEMS设计与工艺 MEMS技术发展的趋势 1、研究方向多样化 2、加工工艺多样化：如：传统的体硅加工工艺、表面牺牲层工艺、溶硅工艺、深槽刻蚀与键合工艺相结合、SCREAM工艺、LIGA加工工艺、厚胶与电镀相结合的金属牺牲层工艺、MAMOS（金属空气MOSFET）工艺、体硅工艺与表面牺牲层工艺相结合等。 3、系统单片集成化 4、MEMS器件芯片制造与封装统一考虑 5、普通商业应用低性能MEMS器件与高性能特殊用途如航空、航天、军事用MEMS器件并存芯片制造与封装统一考虑 内容 1、中电集团13所——硅溶片工艺 2、中电集团13所——正面体硅工艺 3、北京大学——体硅压阻加工工艺 4、北京大学——深刻蚀与键合组合工艺 5、西北工业大学——基于SOI的加工工艺 6、MEMS Cap——MUMPS工艺 7、Sandia SUMMIT工艺 8、MEMS与电路的集成 9、实例 总结 1、中电集团13所——硅溶片工艺 2、中电集团13所——正面体硅工艺 3、北京大学——体硅压阻加工工艺 1）硅片压阻区制备 3、北京大学——体硅压阻加工工艺 2）硅片隔离区制备 3、北京大学——体硅压阻加工工艺 3）硅片背腔腐蚀 3、北京大学——体硅压阻加工工艺 4）硅片连线制备 3、北京大学——体硅压阻加工工艺 5）玻璃片金属电极制备 3、北京大学——体硅压阻加工工艺 7）硅-玻璃键合 3、北京大学——体硅压阻加工工艺 8）深刻蚀结构穿通 4、北京大学——深刻蚀与键合组合工艺技术 1）键合区制备——干法腐蚀 4、北京大学——深刻蚀与键合组合工艺 1）键合区制备——湿法腐蚀 4、北京大学——深刻蚀与键合组合工艺 2）玻璃片金属电极制备 4、北京大学——深刻蚀与键合组合工艺 3）硅-玻璃键合 4、北京大学——深刻蚀与键合组合工艺 4）深刻蚀结构释放 5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺 5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺 1）掩膜制备 光刻胶掩膜制备 二氧化硅掩膜制备 金属铝掩膜制备 5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺 2）干法刻蚀 5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺 3）结构释放 湿法释放 气态氢氟酸释放 footing效应释放 干湿法结合释放 5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺 5）背面释放 背面深刻蚀释放 背面湿法释放 5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺 6）硅片去胶针对不同的光刻胶，选取不同的方法去除。光刻胶掩膜可通过丙酮溶液、氧等离子处理等方法去除；二氧化硅掩膜可通过氢氟酸溶液去除；金属铝掩膜可通过专用铝刻蚀剂去除。 6、MUMPS工艺 MUMPS工艺特点 长氮化硅 长0层Poly－Si MUMPS工艺 一次光刻RIE去除多余0层Poly－Si MUMPS工艺 LPCVD淀积二氧化硅二次光刻，DRIE形成凹点 MUMPS工艺 三次光刻，DRIE形成锚点LPCVD淀积1层Poly-Si,淀积PSG，退火 MUMPS工艺 四次光刻1层Poly－Si，DRIE淀积二氧化硅 MUMPS工艺 五次光刻，DRIE六次光刻，DRIE MUMPS工艺