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* * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * 共27页 * * * * * * * * 在晶体的出射面(z=L)处,两个分量间的相位差可由上两式中指数的差得到(x’ 分量比y’分量的大) 注: V = EzL, ωc/c = 2π/λ 25 y’分量为: 26 26 注意:ωc / c = 2π/λ 图4示出了某瞬间 和 两个分量(为便于观察,将两垂直分量分开画出),也示出了沿着路径上不同点处光场矢量的顶端扫描的轨迹。 在z=0处(a),相位差 ,光场矢量是沿X方向的线偏振光;在e点处, ,则合成光场矢量变为一顺时针旋转的圆偏振光;在i点处, ,则合成光矢量变为沿着Y方向的线偏振光,相对于入射偏振光旋转了90o。如果在晶体的输出端放置一个与入射光偏振方向相垂直的偏振器,当晶体上所加的电压在0— 间变化时。从检偏器输出的光只是椭圆偏振光的Y向分量,因而可以把偏振态的变化变换成光强度的变化(强度调制)。 4、横向电光效应 优点: ①避开电极对光波的影响; ②通过增加晶体的长度或减小晶体厚度来 增加调制效果(或降低电压)。 横向电光效应可以分为三种不同的运用方式: (1)沿z轴方向加电场,通光方向垂直于z轴,并与x或y 轴成45o夹角(晶体为45o-z切割)。 (2)沿x方向加电场(即电场方向垂直于x光袖),通光方向垂宜于x铀,并与z轴成45o 夹角(晶体为45o -x切割)。 (3)沿y轴方向加电场,通光方向垂直于y轴,并与z轴成45o夹角(晶体为45o -y切割)。 因为外加电场是沿z轴方向,因此和纵向运用时一样,Ex=Ey=0, Ez=E,晶体的主轴 x, y 旋转45o 至 x’,y’,相应的三个主折射率如下式所示: 通光方向与z轴相垂直,并沿着y‘方向入射(入射光偏振方向与z袖成450角),进入晶体后将分解为沿x’和z方向振动的两个分量,其折射率分别为nx’和nz;若通光方向的晶体长度为L,厚度(两电极间距离)为d,外加电压V=Ezd,则从晶体出射两光波的相位差 (2-41) 由此可知,KDP晶体的γ63 横向电光效应使光波通过晶体后的相位差包括两项: 第一项是与外加电场无关的晶体本身的自然双折射引起的相位延迟,这一项对调制器的工作没有什么贡献,而且当晶体温度变化时,还会带来不利的影响,因此应设法消除(补偿)掉; 第二项是外加电场作用产生的相位延迟,它与外加电压V和晶体的尺寸(L/d)有关,若适当地选择晶体尺寸,则可以降低其半波电压。 主要缺点:KDP晶体横向电光调制的主要缺点是存在自然双折射引起的相位延迟,这意味着在没有外加电场时,通过晶体的线偏振光的两偏振分量之间就有相位差存在,当晶体因温度变化而引起折射率n0和ne的变化时,两光波的相位差发生漂移。 双折射补偿:在KDP晶体横向调制器中,自然双折射的影响会导致调制光发生畸变。甚至使调制器不能工作。所以,在实际应用中,除了尽量采取一些措施(如散热、恒温等)以减小晶体温度的漂移之外,主要是采用一种“组合调制器”的结构予以衬偿。 常用的补偿方法有两种:一种方法是,将两块几何尺寸几乎完全相同的晶体的光相互成90o串接排列,即一块晶体的y’和z轴分别与另一块晶体的z轴和y’轴平行(见图a)。另一种方法是,两块晶体的z轴和y’轴互相反向平行排列,中间放置一块1/2 波片(见图b)。 这两种方法的补偿原理是相同的。外电场沿z轴(光轴)方向,但在两块晶体中电场相对于光轴反向。 当线偏振光沿x’轴方向入射第一块晶体时,电矢量分解为沿z方向e1光和沿y’方向的o1光两个分量,当它们经过第一块晶体之后,两束光的相位差 因此,若两块晶体的尺寸、性能及受外界影响完全相同,则自然双折射的影响即可得到补偿。 经过1/2波片后,两束光的偏振方向各旋转90。,经过第一块晶体后,原来的e1光变成了o2 光, o1光变成e2光,则它们经过第二块晶体后,其相位差 于是,通过两块晶体之后的总相位差 其中括号内的就是纵向电光效应的半波电压,所以 可见,横向半波电压是纵向半波电压的d/L倍。减小d,增加长度L可以降低半波电压。但是这种方法必须用两块晶体,所以结构复杂,
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