项目5半导体电子元件方案.ppt

项目5 半导体电子元件的认识与应用 5.1.1本征半导体 纯净的半导体被称为本征半导体。 目前用于制造半导体器件的材料主要有硅（Si）、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)和磷化铟(InP)等，其中以硅和锗最为常用。 硅和锗都是四价元素。 1．本征半导体中的两种载流子—电子和空穴 在室温下，本征半导体中的少数价电子因受热而获得能量，摆脱原子核的束缚，从共价键中挣脱出来，成为自由电子。与此同时，失去价电子的硅或锗原子在该共价键上留下了一个空位，这个空位称为空穴。电子与空穴是成对出现的，所以称为电子----空穴对。 自由电子带负电荷，空穴带正电荷，它们都对形成电流做出贡献，因此称自由电子为电子载流子，称空穴为空穴载流子。本征半导体在外电场的作用下，其电流为电子流与空穴流之和。 2．本征半导体的热敏特性和光敏特性 实验发现，本征半导体受热或光照后其导电能力大大增强。 这就是本征半导体的热敏特性和光敏特性。利用这种特性就可以做成各种热敏元件和光敏元件，在自动控制系统中有广泛的应用。 3．本征半导体的掺杂特性 实验发现，在本征半导体中掺入微量的其他元素，会使其导电能力大大加强。例如，在硅本征半导体中掺入百万分之一的其它元素，它的导电能力就会增加一百万倍。这就是半导体的掺杂特性。 掺入的微量元素称为杂质，掺入杂质后的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体有P型半导体和N型半导体两大类。 (1) P型半导体 在本征半导体中掺入三价元素，如硼（B）、铟（Iｎ）等，在半导体内就产生了大量空穴，这种半导体叫做P型半导体。 在P型半导体中，空穴是多数载流子，简称“多子”，电子是少数载流子，简称“少子”。但整个P型半导体是呈现电中性的。P型半导体是以空穴导电为主的半导体，所以它又称为空穴型半导体。 (2) N 型半导体 在本征半导体中掺入微量五价元素，如磷（P），砷（As）等，在半导体内会产生许多自由电子，这种半导体叫做Ｎ型半导体。 在 N 型半导体中，电子载流子数远大于空穴数，所以电子是 N 型半导体中的多子，空穴是N型半导体中的少子。但整个N型半导体是呈现电中性的。N型半导体是以电子导电为主的半导体，所以它又称为电子型半导体。 半导体中多子的浓度取决于掺入杂质的多少，少子的浓度与温度有密切的关系。 5.1.2 PN结 单纯的一块P型半导体或N型半导体，只能作为一个电阻元件来使用。但是如果把P型半导体和N型半导体通过一定的制作工艺结合起来就形成了PN结。 PN结是构成半导体二极管、半导体三极管、晶闸管 、集成电路等众多半导体器件的基础。 1． PN 结的形成 在一块完整的本征硅（或锗）片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成 N 型半导体，另一边形成 P 型半导体，在这两种杂质半导体的交界面附近就会形成一个具有特殊性质的薄层，这个特殊的薄层就是PN 结。 2.PN结的单向导电特性 实验电路 5.1.3二极管的结构和符号 1.半导体二极管的图形符号和特点 各种形状的二极管 5.1.4二极管的伏安特性 总结： 二极管的伏安特性是非线性的，所以二极管是一种非线性元件。 在外加电压取不同值时，就可以使二极管工作在不同的区域，从而充分发挥二极管的作用。 5.1.5 二极管的主要参数 在实际应用中，常用二极管的参数来定量描述二极管在某一方面的性能。 二极管的主要参数有： 1． 最大整流电流 IF 最大整流电流IF是指二极管长期工作时允许通过的最大正向直流电流。 2． 最大反向工作电压URM 最大反向工作电压URM是指二极管在工作时所能承受的最大反向电压值。 5.1.6 二极管的实际应用 1.整流 整流就是将交流电变成脉动直流电。利用二极管的单向导电性可组成单相和三相整流电路，再经过滤波和稳压，就可以得到平稳的直流电。 3. 限幅 利用二极管导通后压降很小且基本不变的特性，可以构成限幅电路，使输出电压幅度限制在某一电压值内，以保证放大器不因为信号过强而造成阻塞。 4.电子开关 利用二极管的导通状态和截止状态，将其串联在电路中，就构成了一个电子开关，并且这个电子开关没有机械动作，没有磨损和接触不良现象，更为重要的是，其开关频率可以很高，可达到每秒几百万次，这是机械开关根本办不到的。开关二极管在数字电子技术中有广泛的应用。 5.1.7 特殊二极管 1.硅稳压二极管 硅稳压二极管（简称稳压管）工作在反向击穿区，其电流变化很大而电压基本不变，利用这一特性可实现直流电压的稳定。 在实际中使用稳压二极管要满足两个条件：