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g s d 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1015? 。 漏极d 金属电极 栅极g 源极s SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 D(Drain)为漏极，相当c G(Gate)为栅极， 相当b S(Source)为源极，相当e VGG P型硅衬底 N+ N+ g s d + – UGS VDD + – 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压VGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 s d (2) N沟道增强型管的工作原理 VGG P型硅衬底 N+ N+ g s d + – VGS VDD + – 当VGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流iD，管子导通。 当VGS VT时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。VGS愈高，导电沟道愈宽。 (2) N沟道增强型管的工作原理 VGG P型硅衬底 N+ N+ g s d + – UGS VDD + – N型导电沟道 当VGS ? VT后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压VDS，则有漏极电流ID产生。在一定的VDS下漏极电流ID的大小与栅源电压VGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 在一定的漏–源电压VDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压VT。 (2) N沟道增强型管的工作原理 工作原理 Operation Threshold voltage （开启电压) 反型层(Inversion layer) VGS控制沟道宽窄 1、开启(turn on)沟道 0V + 宽 窄 VGS=VT 增强型MOS管 2．沟道变形 预夹断 pinch-off 楔形沟道 0 + 电位梯度 VDS控制 沟道形状 三区： 可变电阻区(resistive region) —— 饱和区 恒流区（constant current region）——放大区 夹断区（cutoff rigion） ——截止区 输出特性曲线 ID=f(VDS)?VGS=const VCCS！ 形成原因： JFET分为： N沟道 P沟道 箭头：P?N JFET 结构与符号 2．VDS控制 沟道形状 PN结反偏! 1．VGS控制 沟道宽窄 工作原理 1．VGS控制沟道宽窄 （夹断电压) 0V - 窄 宽 VGS=VP 2．VDS控制沟道形状 预夹断 楔形沟道 0 + 电位梯度 半导体的基本知识 一、半导体材料 自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。 半导体（Semiconductor）定义 特点:导电能力可控（受控于光、热、杂质等） 典型半导体材料:硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 半导体的特点 二、半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构有一个共同点，即都是四价元素，其原子的最外层电子数都是4个，原子的最外层电子通常称为价电子。价电子受核的束缚力最小，半导体的导电性能与价电子有关，内层电子与原子核构成稳定的惯性核，若用+4代表惯性核所具有的电荷量，则可以用图表示硅或锗的简化原子结构模型。 硅或锗制成单晶体后，由于晶体(crystal)中原子之间距离很近，价电子不仅受到其所属原子核的作用，还受到相邻原子的原子核的吸引，即一个价电子为相邻的两个原子核所共有。如图所示，这样，相邻原子之间通过共有价电子的形式而紧密结合起来，即形成“共价键(covalent bond)”结构。 本征半导体(Intrinsic Semiconductor) 完全纯净的、具有晶体结构的半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si S