2015第6次课第四章异质结的伏安特性资料.pptVIP

Principle of Operation Lower emitter doping Reduced bandgap narrowing Reduction in minority carrier concentration in the emitter Improvement in current gain Reduced CBE Emitter-base space-charge region broadens on emitter side of the junction Reduction in emitter doping levels reduces what? Why? 4.3 超注入现象 加正向电压时, n区导带底上升,结势垒可被拉平. 由于导带阶的存在, n区导带底甚至高于 p区导带底, 准费米能级可达到一致. p区导带底较n区导带底低,距EFn更近.故p区导带的电子浓度高于n区. 应用注入到窄带区的少数载流子浓度达到1018 cm-3以上,实现粒子数反转. 加了较大正向偏置电压之后，N-AlxGa1-xAs/p-GaAs中，位于N区的导带上的电子的能量比p区的导带底的能量还高，在外加电压的作用下，电子注入到p区的导带中，至使p区的电子比N区的电子还多(常规情况下是N区的电子多，p区的空穴多)。在p-N结p区一侧载流子堆积得很多，即注入到p区的少子（电子