非晶硅异质太阳电池的研制.docVIP

n型晶体硅／p型非晶硅异质结太阳电池的研制摘要：研究了不同的硅片表面钝化方法，分析了硅片表面的少数载流子寿命以及对晶体硅／非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命，从而提高HIT太阳电池的开路电压。同时发现，在硅片背面引入重掺杂背场提高了HIT太阳电池的长波段光谱响应和开路电压。对制备工艺综合优化后，得到了光电转换效率为16.75％(Voc一0.596V， Jsc=41.605mA／cm2， FF=0.676， AMl.5， 25℃)的HIT太阳电池。　　关键词：晶体硅；非晶硅；异质结；太阳电池；表面钝化　　1前言　　采用宽带隙的非晶硅作为窗口层或发射极，单晶硅或多晶硅片作衬底，形成了非晶硅／晶体硅异质结太阳电池，称为HIT(heterojunction with intrinsic thin-layer)太阳电池。它可以同时实现pn结和优异的表面钝化，并且所有工艺可在低温(200℃)下完成，既减少了能耗，又能避免硅片在高温处理过程中可能产生的性能退化。由于这种电池既利用了薄膜制造工艺优势同时又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点，具有实现高效低成本硅太阳电池的发展前景，成为光伏能源领域的一个研究热点。　　本文通过分析测试HIT太阳电池制备过程中硅片表面的一些钝化技术对少数