吉林大学半导体课件第五章.pptVIP

第五章 结型场效应晶体管和 金属半导体场效应晶体管 一、名词 术语 概念 问题 场效应：利用电场使半导体电导改变的效应。 单极器件(unipolar devices)：主要靠一种载流子传输电流的器件 沟道夹断：栅结空间电荷区完全扩展进沟道，以至于导电沟道完全被耗尽自由载流子的耗尽区所充满的现象。沟道夹断首先发生在漏端（x＝L处）（夹断点）。随着栅偏压或漏电压的增加夹断点向源端移动。 夹断电压：形成沟道夹断时的外加电压（ ）。 内夹断电压：沟道夹断时的总电压（ ）。 漏极导纳：漏极电流对漏极电压的变化率，它反映了JFET的输出特性。 跨导：漏极电流对栅极电压的变化率，它反映了JFET的转移特性 栅极总电容：在栅PN结在反偏压下的结电容 在 ，并处于夹断条件时，栅电容为 截止频率：JFET不能再放大输入信号（当通过输入电容的电流与输出的漏极电流相等时，达到增益为1）时的最高频率。 沟道长度调制效应：夹断条件规定为两个空间电荷区在沟道中心相遇。当漏极电压进一步增加时，沟道中更多的自由载流子耗尽。结果是耗尽区的长度增加，电中性的沟道长度减小。这种现象称为沟道长度调制效应。在沟道中心，外加漏极电压这时由耗尽区和电中性区分摊，由电中性的沟道区承受电压 ，并由耗尽的沟道区承受电压 由于被减短的电中性沟道长度承受着同样