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1．试题可采用粘贴方式，请用B5纸打印，粘贴时不要超过边框。 2．本科课程的试题一般不留答题空间，答案写在专用答题纸上，专科课程试题一般要留答题空间，答案直接做在试卷上。  6、杂质原子使纯金属的电导率 【 】 A. 升高 B. 降低 C. 先升后降 D. 先降后升 7、关于材料热容的影响因素，下列说法中不正确的是 【 】 A. 热容是一个与温度相关的物理量，因此需要用微分来精确定义。 B. 实验证明，高温下化合物的热容可由柯普定律描述。 C. 德拜热容模型已经能够精确描述材料热容随温度的变化。 D. 材料热容与温度的精确关系一般由实验来确定。 8、如左图的发光现象属于的发光类型是 【 】 光致发光 电致发光 阴极射线发光 D. 高能粒子发光 9、下面列举的磁性中属于强磁性的是 【 】 A. 顺磁性 B. 亚铁磁性 C. 反铁磁性 D. 抗磁性 10、下列哪项是铁磁性χ-T的相互关系 【 】 A B C D 二 填空题(每空 1 分，共10空，共 10 分) 1、晶体产生弗伦克尔缺陷时，晶体体积 ，晶体密度 ；而有肖特基 缺陷时，晶体体积 ,晶体密度 。一般说离子晶体中正、负离子半 径相差不大时， 是主要的；两种离子半径相差大时， 是主要的。 2、在图下方写出缺陷名称 缺陷 缺陷 3、关于固体材料的热容，爱因斯坦模型认为：晶体中每一个原子都是一个独立的振子，原子之间彼此无关，原子以 的频率振动；德拜模型考虑到晶体中原子的相互作用，认为晶体中对热容的主要贡献是 。 三、应用题 (每题 3 分，共2题，共 6 分) CaCl2中Ca2+置换KCl中K+而出现点缺陷，写出缺陷反应式。 CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中去而出现点缺陷，写出缺陷反应式。 四、简答题 (每题6 分，共3题，共18分) 温度对热容有何影响？ 为什么金属的电阻因温度升高而增大，而半导体的电阻却因温度的升高而减小？ 3、太阳电池的基本工作原理。 五、论述题 (每题16分，共1题，共16分) 利用原子双原子相互作用力与原子间距关系曲线解释热膨胀是晶格振动非简谐效应所引起的。 六、计算题 (每题10分，共3题，共30分) 如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在MgO晶体中杂质缺陷浓度是多少。 假设某种材料的费米能级为6.25eV，并且这种材料中的电子遵守费米分布，计算在低于费米能级0.30eV处，温度为何值时能级为空的概率为1%。（已知） 3、一快硅半导体含有施主杂质浓度，和受主杂质浓度，求在T=300K时（）的电子空穴浓度。 第 6 页 共 6 页 材料物理导论A 年级 专业班级 姓名 学号 考试时间 年 月 日 午 订 装 线 2013——2014学年 第一学期 课程名称: 材料物理导论 考试形式：（ 闭卷 ）考核方式：（ 考试 ） 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分 评阅人签 名 一、选择题(每