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多孔硅电子发射源 三、MIM型场发射电子源研究进展 MIM型场发射电子源 三、MIM型场发射电子源研究进展 Hongzhong Liu, et al, Nanotechnology, 2011, 22:455302 桶状MIM型场发射电子源 三、MIM型场发射电子源研究进展 三、MIM型场发射电子源研究进展 目 录 一、场发射气体显示基本概念 二、MIM型场发射电子源基本特性 三、MIM型场发射电子源研究进展 四、未来前景分析 场发射气体显示：从概念到实践 VUV光谱 无147nm谱峰 无823nm和828nm信号 阳极电压：100 V 四、未来前景分析 10mm PPS电子发射直接激发气体发光 多孔多晶硅电子发射直接激发气体（纯Xe气）发光 四、未来前景分析 T. Ichihara, et al, Journal of the SID, 2010, 18:223 MIM型场发射电子源 具有电子注入的微腔等离子体器件 K. –F. Chen, et al, Applied Physics Letters, 2008, 93:161501 四、未来前景分析 充Ne气微腔等离子体相对发光强度 四、未来前景分析 FGD发展前景分析 FGD利用了FED的电子发射和PDP的气体激发发光，同时克服了FED的高真空、高电压缺点和PDP的低放电效率、高驱动电压缺点，是一种有发展潜力的新型显示器件。 与FED和PDP相比，FGD具有结构简单、工作电压低等优点，可采用成熟的PDP工艺制作，能够实现低成本和低功耗。 以FGD的基本结构为基础，可采用多种方法增强电子激发气体发光的效率，例如，磁性材料，射频电压等。 对于MIM型场发射电子源，采用多孔氧化铝作为绝缘介质层是一种好的技术途径。 四、未来前景分析 谢 谢 场发射气体显示：从概念到实践 场发射气体显示：从概念到实践 Field-emission Gas Display: From Concept to Practice 西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室 2012年05月11日 刘纯亮 2012中国平板显示学术会议 目 录 一、场发射气体显示基本概念 二、MIM型场发射电子源基本特性 三、MIM型场发射电子源研究进展 四、未来前景分析 场发射气体显示：从概念到实践 能源之星标准对平板电视开机模式功耗之规定 108 210 52.3?29.4 16:9 60 108 153 43.6?24.5 16:9 50 81 115 36.6?20.6 16:9 42 55 78 27.9?15.7 16:9 32 27 37 17.4?9.8 16:9 20 5.0版本最大开机模式功耗（瓦） 2012年5月1日生效 4.0版本最大开机模式功耗（瓦） 2010年5月1日生效 屏幕尺寸 （英寸） 幅形比 对角线尺寸 （英寸） 资料来源： EPA: ENERGY STAR Program Requirements for TVs: Versions 4.0 and 5.0，September 3, 2009 . 一、场发射气体显示基本概念 能源之星标准对平板电视开机模式功耗之规定 一、场发射气体显示基本概念 场发射气体显示器件 场发射气体显示（FGD）：Field-emission Gas Display FED主要问题：高真空，高电压； PDP主要问题：放电消耗大量功率，发光效率低； 新型显示原理：直接注入电子激发气体发光。 外加电压 （几十伏） 注入电子 （场发射电子源） 电子激发气体发光 FGD=FED+PDP 一、场发射气体显示基本概念 三星公司原理性实验（IMID，2007） 气体：3 Torr纯Xe气 电子源：CNT（非MIM） 显示屏：2英寸 一、场发射气体显示基本概念 3.58 lm/W 506 cd/m2 40 V （1kHz, 1%占空比） 4.14 lm/W 263 cd/m2 35 V （1kHz, 1%占空比） 发光效率 亮度 驱动电压 脉宽调制驱动（PWM） 一、场发射气体显示基本概念 寿命测试： 2.5分钟~27.5分钟 主要原因： CNT阴极直接暴露在气体中，阴极电子发射特性很快劣化。 解决办法： 寻找能够在气氛环境下稳定工作的新型电子源。 一、场发射气体显示基本概念 已有的各种场发射电子源 一、场发射气体显示基本概念 MIM型场发射电子源的特点 三明治结构，由底电极、电子发射层和顶电极构成； 顶电极厚度10 nm左右，电子穿过顶电极注入到气体中； 工作电压较低，一般