1_第一章_CMOS集成电路制造工艺基础分析.ppt

第一章 CMOS集成电路制造工艺基础 内容提纲 一、集成电路材料 二、基本的半导体制造工艺 三、CMOS工艺基础 一、 集成电路材料 制造集成电路所用到的材料很多，基本有三类： ★ 导体 ★ 半导体 ★ 绝缘体 导体在制造工艺中的功能 导体如铝、金、钨、铜以及镍镉合金等，在集成电路中主要完成的功能有： 1.构成低阻值电阻，电容的极板，电感的绕线，传输线，与轻掺杂半导体构成肖特基接触；与重掺杂半导体构成半导体器件的电极的欧姆接触。 2.构成元器件间和层间的互连线。 3.构成与外界电路连接的焊盘。 绝缘体在制造工艺中的功能 绝缘体如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（SiON、Si3N4）等氧化物和氮化物在集成电路制造工艺中要完成的功能： 1.构成电容的介质；构成MOS管的栅极与沟道间的绝缘层（栅氧）。 2.构成元件之间，互连线之间的横向隔离（场氧）。 3.构成不同工艺层面之间的纵向隔离，防止表面机械损伤和化学污染的钝化层。 半导体在制造工艺中的功能 半导体是集成电路制造工艺中的核心材料，集成电路就是制作在半导体衬底材料上的，半导体材料的特征决定了集成电路基本元器件的特性。 除了半导体、导体、绝缘体外，在集成电路制造工艺中还需要陶瓷、玻璃、塑料、金属等作为封