3薄膜生长分析.ppt

* 侧墙隔离 * 介质层的应用实例 基本应用 * CVD的基本过程 ①传输：反应剂从气相经附面层（边界层）扩散到（Si）表面； ②吸附：反应剂吸附在表面； ③化学反应：在表面进行化学反应，生成薄膜分子及副产物； ④淀积：薄膜分子在表面淀积成薄膜； ⑤脱吸：副产物脱离吸附； ⑥逸出：脱吸的副产物从表面扩散到气相，逸出反应室。 * CVD图示 Wafer 衬底基片 底座 边界层 强制对流区 气体喷头 源气体 副产品 反应物 生长过程 * 淀积过程 生长过程 * Deposition Process 生长过程 TMGa与NH3在衬底表面形成GaN的基本物理过程 * 三维生长形貌 * CVD 类型 APCVD 常压化学气相淀积 Atmospheric Pressure CVD LPCVD 低压化学气相淀积 Low Pressure CVD PECVD 等离子体增强化学气相淀积 Plasma Enhanced CVD * APCVD CVD 过程在常压下（760Torr） APCVD 已经用于淀积二氧化硅和氮化硅 APCVD 特别适于浅槽隔离STI * APCVD反应室 * 问题 一个半导体制造商在沿海地区有一个RD实验室，在内陆高海拔地区有一个制造厂。有时会出现这样的事情，RD实验室的APCVD设备不能直接应用到高海拔地区工厂中，这是为什么？ * LPCVD 优点： 较长的平均自由程 均匀性和台阶覆盖性比APCVD好 污染小 生长速率对气流的依赖性小，主要受表面反应控制 缺点 相对低的淀积速率 相对高的工作温度 反应压力：0.25 to 2 Torr 主要用于多晶硅,二氧化硅和氮化硅薄膜淀积 * LPCVD系统 * PECVD 原理：利用RF等离子体激活和维持化学反应，受激活的分子可以在低温下发生化学反应 应用：目前最主要的化学气相淀积系统 优点：淀积温度低，高淀积速率 薄膜特性：附着性好、台阶覆盖好 * PECVD 系统（电容耦合） * 表面反应控制型 化学反应速率不能满足反应剂扩散和吸附的速率，反应剂堆积在衬底表面等待反应； 淀积速率＝反应速率 淀积速率对温度很敏感 * 质量输运控制型 表面化学反应速率足够高，当反应剂被吸附在衬底表面时会立即反应 淀积速率＝D dn/dx 淀积速率对温度不敏感 淀积速率主要受到气体流速的控制 * 淀积速率G与温度T的关系 低温下，hg ks， 反应控制过程，故 G与T呈指数关系； 高温下，hg ks， 质量输运控制过程， hg对T不敏感，故 G趋于平稳。 * 总结 PVD：主要蒸发金属，不涉及化学反应，高真空工作； CVD：主要淀积介质和半导体，涉及化学反应， 有常压、低压和PECVD之分。 PVD vs CVD Jincheng Zhang 集成电路工艺基础 3、薄膜生长（PVD和CVD） 微电子学院 戴显英 2014年9月30日 课程内容 1、引言 2、硅片制备与高温工艺（拉单晶、氧化、扩散） 3、薄膜生长（PVD和CVD） 4、掺杂技术（扩散、注入） 5、光刻与刻蚀工艺（曝光、刻蚀） 6、金属化与多层互连（薄膜淀积、介质） 7、CMOS集成电路工艺流程 8、双极集成电路和BiCMOS的工艺集成 * CVD: Chemical Vapor Deposition 化学气相淀积 如：SiH4(气)+2O2(气)＝SiO2(固)+2H2O(气) PVD: Physical Vapor Deposition 物理气相淀积 薄膜生长（PVD 、CVD） * 物理气相淀积(PVD) 定义：利用某种物理过程如蒸发或溅射方法实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上，并淀积成薄膜。 分类：真空蒸发法 和 溅射法 真空蒸发法 优点：较高淀积速率，较高薄膜质量(系统真空度高) 缺点：台阶覆盖能力差，淀积多元薄膜时组份难控制 溅射法 优点：淀积多元薄膜时组份易控制，淀积薄膜与衬底附着性好 溅射法在很大程度上已经取代了真空蒸发法，但真空蒸发法在科研和III-V族化合物半导体工艺中仍被采用。 * 真空蒸发法 定义（原理）：利用蒸发材料在高温时所具有的饱和蒸气压进行薄膜 制备。 分类 －热蒸发：通过加热蒸发源使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸汽 流并入射到衬底表面，凝结形成固态薄膜； （对于熔点不是很高，易熔化的材料） －电子束