4-第3章应变传感器.ppt

横向效应的大小用横向效应系数H表示 含义：在同一单向应变作用下垂直于单向应变方向安装的应变片的指示应变与平行于单向应变方向安装的同批应变片的指示之比的百分数。一般为2％。 3.2 薄膜应变电阻及传感器 3.2.1 薄膜的分类 1 按薄膜厚度分类 (1) 非连续金属膜。厚度小于10-8m,膜面呈一个个孤立的小岛，之间没有通道，导电作用是由隧道效应实现的。 (2) 半连续膜。厚度在10-8～2×10-8m之间，各岛之间有若干连线。 (3) 连续膜。厚度为2×10-8m，膜面基本没有岛状结构，稳定性最强。 2. 按薄膜结构分类 (1) 多晶体薄膜。通常由半导体（Ge、Si）和化合物半导体（锑化铟、砷化镓）制成。 (2) 单晶体薄膜。用外延生长方法获得的半导体薄膜均属单晶体薄膜。如硅薄膜。 (3) 无定形薄膜。金属氧化物介质薄膜。通常用作绝缘层。 3.2.2 薄膜应变传感器的特点 1. 薄膜应变片可以同弹性体键合在一起，构成整体式薄膜传感器；也可制成单一的薄膜应变片，再粘贴在弹性体上构成传感器。 2. 用薄膜技术制成的合金型应变片和传感器，稳定性很好，电阻温度系数很小,一般为（10-5~10-6）/℃。 3. 合金型薄膜应变片的灵敏系数较低，大体同金属丝式和箔式应变片相当。 4. 其阻值可以作的很大，通常达到几千到几万欧姆，可在低功耗状态下工作。 5. 对其反复加载106次以上，仍能正