4-硅和硅片制备.ppt

88 die 200-mm wafer 232 die 300-mm wafer 更大直径硅片上芯片数的增长 图 4.13 300 毫米硅片尺寸和晶向要求的发展说明 表 4.4 4.6 硅的晶体缺陷 为了很好地实现先进的IC功能，半导体要求近乎完美的晶体结构。晶体缺陷（也称微缺陷）就是在重复排列的晶胞结构中出现的任何中断或杂质的引入。在硅的生长或加工过程中不产生一个缺陷是不可能的。然而，现代工艺已经可以生产缺陷密度非常低的硅。 缺陷密度是在每平方厘米硅片上产生的缺陷数目。在硅中主要存在三种普遍的缺陷形式： 点缺陷：原子层面的局部缺陷 位 错：错位的晶胞 层 错：晶体结构的缺陷 点缺陷 点缺陷存在于晶格的特定位置。图4.15显示了三种点缺陷。 最基本的一种缺陷是空位。这种缺陷当一个原子从其格点位置移动到晶体表面时出现。 另一种点缺陷是间隙原子，它存在于晶体结构的空隙中，这种点缺陷是由于化学元素杂质引入到格点里所产生的。 还有一种缺陷是当一个原子离开其格点位置并且产生了一个空位时，就会产生间隙原子－空位对，或叫Frenkel缺陷。 点 缺 陷 (a) 空位缺陷 (b) 间隙原子缺陷 (c) Frenkel 缺陷 图 4.15 位 错 在晶体中，晶胞形成重复性结构。如果晶胞错位，这种情况就叫做位错