CVD制程工艺及设备介绍.ppt

P/C Chamber base Display Panel DC power UPS Turbo Pump Power Slit Valve N2 CDA Slit Valve Pump 垫片 Bellows 横向Bellows 横向汽缸 纵向汽缸 PC Vacuum Gauge 较大的Vacuum Gauge范围是0.001Torr到10Torr，精确度高且敏感 。 较小的那个是0.1到1000Torr，且二者之间有一个Isolation valve（隔离阀）。 20Torr Sensor（传感器）是用来检测腔内压力，当腔内压力小于20Torr时，才能把压力值反映到机台控制电路板上，进而打开控制气体的阀门，才会使制程气体流入到腔室，也就是相当于联动装置。 Sensor Isolation Valve 1000Torr Gauge 10 Torr Capacitance Gauge * Gas panel and Mainframe Control Tower Box Gas panel 气体从这里分开到各chamber Main frame control tower 为机台提供440V和208V电源 * Remote system RF Generator RF Generator RF Generator RF Generator RF Generator T/C pump Air tank Manifold Local scrubber P/C pump B P/C pump D P/C pump A P/C pump E Remote AC Power Box Heat exchanger P/C pump C AC Power Control Tower L/L pump Remote system Heat Exchanger 为Match Box和process chamber供DI Water RF Generator 为Process chamber 提供RF energy Air tank 储存气体给机台的气动阀供气。 Remote AC Power Box为机台提供AC电源 Process Chamber Pump 为Process Chamber抽真空（A400BP 和AAS200WN的组合）。 * L/L Pump为Loadlock抽真空（共有五个单体组合而成，AA201BP两台，A25S 三台）。 DDSL pump实物图 T/C Pump 为Transfer Chamber抽真空（所用型号为A200W） Burner CVD的尾气处理装置，主要是将制程残气燃烧处理掉。 * CVD安全方面的介绍 1.高温 CVD机台是高温机台，Process chamber温度很高，镀N+层膜机台的温度为340-360℃，镀PAS层膜机台的温度为270-280℃，要防止高温烫伤。 * 2.高电压 CVD机台用到电压有440V，208V交流电压所以要 防止触电的危险。 * 3 高周波 高周波即高频具有辐射性 * 4 特气 CVD机台所用气体有几种是毒性很强的气体 * 注意因气体泄漏造成火灾或者爆炸的危险 * 5.驱动部件的危险 真空手臂的升降，旋转运行，门阀的开关等 * 6.注意跌倒 CVD机台很高，有许多地方时高低不平 谢 谢！ * * PECVD Process Parameter Gas flow rate (SiH4, NH3, H2, PH3 1%/H2, N2, Ar, NF3) Chamber Pressure……. (pumping speed, throttle valve position) RF Power Substrate temperature Electrode spacing PECVD Films for TFT a-Si (SiH4,H2) SiH4 + H2 ? a-Si:H N+ a-Si (SiH4,H2 ,PH3 1% /H2) SiH4 + H2 + PH3 ? N+ a-Si:H SiNx (SiH4, NH3, N2) SiH4 + NH3 + N2 ? SiNx:H Lower process temperature (300~450℃) for glass substrate Plasma assist Less glass damage Better thickness uniformity for large area deposition mass production by large area sub