电子科技大 高级微电子技术2015.doc

高级微电子技术复习提纲 2015-9-29 请给出下列英文缩写的英文全文，并译出中文：CPLD、FPGA、GAL、LUT、IP、SoC BJT、HBT BiCMOS、VDMOS、IGBT、ESD、EEPROM Flash 。 CPLD: Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件 FPGA: Field－Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL: generic array logic 通用阵列逻辑 LUT: Look-Up-Table显示查找表 IP: intellectual property 知识产权 SOC: System on Chip 系统级芯片 BJT bipolar junction transistor HBT heterojunction bipolar transistor 异质结双极晶体管 BiCMOS bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor双极-互补金属氧化物半导体 VDMOS vertical double-diffused MOSFET 垂直双扩散金属氧化物半导体结构 IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘栅双极型晶体管 ESD Electro-Static discharge 静电阻抗器，静电保护 EEPROM Electrically Erasable Programmable? HYPERLINK /view/1670325.htm \t /view/_blank Read-Only Memory HYPERLINK /view/3425814.htm \t /view/_blank 电可擦可编程只读存储器 FLASH Flash EEPROM Memory 闪存芯片 试述AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理; 试说明为什么AGC BJT的工作频率范围受限。 AGC 即自动增益控制（Automatic Gain Control） AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理： 当输入增加时，输出会同时增加，我们可利用双极型晶体管的大注入效应和大电流下的基区扩展--kirk效应，衰减增益，使放大系数降低，则达到了稳定输出的目的。 工作频率范围受限原因： 1) 自动增益控制特性与频率特性是相矛盾，实现AGC需要基区展宽，而器件的工作频率与基区宽度的平方成反比，要实现大范围的自动增益控制，要求宽基区，使得工作频率范围受限。 2) 实现AGC要求基区大注入,基区掺杂浓度低时，易于发生大注入效应，而基区掺杂浓度动愈低，器件高频噪声愈差，使得工作频率范围受限。 试给出AGC BJT和AGC双栅MOSFET的自动增益控制范围(db数)和频率范围.通常AGC双极型晶体管工作在10—300MHz频率范围内。双栅MOSFET:硅栅：200MHz以内，钼栅：900MHz以内。 为什么双栅MOSFET具有良好的超高频(UHF)特性？ 1) 双栅MOS的端口 Gl靠近源极，对应的基区宽度短，加高频信号，称信号栅，可以实现超高频。 G2靠近漏极，对应的基区宽度较宽，有良好的AGC性能，加固定偏置或AGC电压，作增益控制栅。 2) 它通过第二个栅极G2交流接地, 可在第一个栅极G1和漏极D之间起到有效的 静电屏蔽作用, 从而使得栅极与漏极之间的反馈电容(是Miller电容)大大减小，则提高了频率。 试给出在IC中实现AGC功能的方法 A.利用控制放大器本身的参数改变增益 （1）改变发射极平均电流 （2）改变放大器的负载 （3）差分放大器增益控制电路 B．利用在放大器之间插入电控衰减器的增益控制电路 为什么硅栅、耐熔金属栅能实现源漏自对准，而铝栅不行？实现源漏自对准的目的是什么？ 因为铝栅如果采取自对准，在后续的高温氧化过程中会变形；实现自对准的目的是减少栅与源漏之间的寄生电容。减小其中MOSFET的寄生电容，提高工作频率和速度。 试用“深掏滩，低垒堰”的思想说明“在IC中利用密勒效应来获得大电容”的发明的聪明之处。IC中利用密勒效应来获得大电容的目的是什么？ 聪明之处：化不利为有利 IC中利用密勒电容效应获得大电容和可变电容： 采用较小的电容即可获得较大的电容，可以在IC设计中避免大电容的制作，减小芯片面积，这种技术在IC设计中具有重要的意义； ② 通过控制电压或电流的放大倍数，可获得可控电容。 试举4个以上例子说明：在模拟IC或模拟电路中，电容通常所起的作用。 ·在BJT共射放大电路的设计中，常在串联发射集电阻Re的同时并联大的旁路电容，从而在不影响电压放大倍数的情况下，提高输入电阻。 ·振荡电路的设