模电1-10.ppt

模拟电子技术基础任课教师：崔保春 办公地点：J11－420 联系电话81 E－mail：cbc8222@163.com 学习目的和性质： 本课程是电气信息类专业本科生在电子技术方面入门的专业基础课，具有完整的体系和很强的实践性。 本课程通过对常用电子器件、模拟电路及其系统的学习、分析和设计，使学生获得模拟电子技术方面的基本知识、基本理论和基本技能，为以后深入学习电子技术以及在不同专业中的应用打下良好基础。 考核办法： 总成绩构成＝考试卷面成绩＋平时考勤＋平时作业 考试卷面成绩：80％ 平时考勤：10％ 平时作业：10％ 输出特性曲线— iC=f(vCE)? iB= 常数 讨论：晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 温度对晶体管特性的影响 讨论：例1 讨论：例二 增强型MOS管uDS对iD的影响 耗尽型MOS管 MOS管的特性 u u i （3）击穿区 特性曲线上翘部分。 uDSU(BR)DS，管子不允许工作在这个区域。 （4）夹断区（截止区） 输出特性曲线靠近横轴的部分。它是发生在uGS≤ UGS（off）时，管子的导电沟道完全被夹断。 特点： iD≈0 3、转移特性曲线 指JFET漏源电压uGS一定时，输出电流iD与输入电压uGS的关系曲线，即 下图为一条uDS=10V时的转移特性曲线 N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0V -1V -3V -4V -5V N沟道结型场效应管的特性曲线 当管子工作在恒流区，uDS对iD的影响很小。 IDSS是在uGS = 0， uDS |UGS(off) |时的漏极电流 实验证明，当管子工作在恒流区，iD可近似表示为： 二、工作原理（以P沟道为例） UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 P G S D UDS UGS N N UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID P G S D UDS UGS UGSVp且UDS0、UGDVP时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端，PN结反压越大 ID P G S D UDS UGS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID G S D UDS UGS UGSVp UGD=VP时 N N 漏端的沟道被夹断，称为预夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流： Q位于截止区 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V时： USB =5V时: 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 三、主要参数 1. 电流放大倍数和 ? 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理