半导体第一章..ppt

?当B沿111方向,对六个能谷,均给出 cos2θ=1/3, sin2θ=2/3—只有一个共振吸收峰 ?当B沿110方向, 有θ=45o和θ=90o --观察到二个共振吸收峰 ?当B沿100方向, 有θ=0o和θ=90o --观察到二个共振吸收峰 ?当B对晶轴任意取向, 观察到三个共振吸收峰 （2） 有效质量: 具有等能面的对称性 对Si 纵向ml= 0.98m0 横向mt= 0.19m0 （3）导带的E?k关系及能隙Eg: 室温下 Eg= 1.12eV T↗,Eg↘ 锗的导带结构 能隙Eg: 室温下 Eg= 0.67eV, T↗,Eg↘ n型锗的导带极小值位于＜111＞方向的简约布里渊区边界上，共有八个 极值附近等能面为沿＜111＞方向旋转的八个旋转椭球面 每个椭球面有半个在布里渊区内 在简约布区内共有四个椭球 ml=(1.64±0.03)m0 mt=(0.0819±0.0003)m0 Si价带极大值 位于布里渊区的中心（坐标原点K=0）。 存在极大值相重合 的两个价带 外面的能带曲率小，对应的有效质量大，称该能带中的空穴为重