CMOS模拟集成电路分析与设计.pptVIP

有源电阻 2）源输出，漏极交流接地 此时栅源电压随输出电压变化，当MOS管工作于饱和区时，其输出电阻为1/gm；而当MOS管工作于三极管区时，其输出电阻值为： 　　式中的gm为器件跨导，而gd则为器件导纳。且有：所以此时的输出电阻值较小。 有源电阻 总之，当MOS管在电路中作有源电阻时，一般栅接固定电位（接漏是一种特例），这时根据栅电压大小来判定MOS管的工作区域（饱和区与三极管区），另外，输出的端口是源端或是漏端，其呈现的阻抗也不同。 沟道调制效应 由上图可以看出： 实际的I/V曲线在饱和时并非是一平行的直线，而是具有一定斜率的斜线。 所有斜线反方向延长与水平轴VDS间有同一交叉点，该点的电压称为厄莱电压VA。 因此在源漏之间是一个非理想的电流源。参数λ反映了沟道调制的深度，且沟道越短，λ越大，表明沟道调制越明显。λ与VA的关系为：λ＝1/VA 。 沟道调制效应 考虑沟道调制效应后MOS管的在饱和区的跨导gm为： 所以沟道调制效应改变了MOS管的I/V特性，进而改变了跨导。 从形式上看，其与VOV的关系还是一致的。 沟道调制效应 不考虑沟道调制效应时，MOS管工作于饱和区时的漏源之间的交流电阻为无穷大，是一理想的电流源。 考虑沟道调制效应后，由于漏电流随漏源电压变化而变化，其值为一有限值。这个电流源的电流值与其电压成线性关系，可以等效为一个连接在漏源之间的电阻，该电阻其实VDS有关，没有精确解，但可近似表示为： 沟道调制效应 一般ro也称为MOS管的输出阻抗，它会限制大部分放大器的最大电压增益，影响模拟电路的性能。 对于一个给定的栅源电压，一个较大的沟道长度L可以提供一个更理想的电流源，同时降低了器件的电流能力。因此，为了保证其电流值，应同比例增加W的值。 注：以上各式的推导是基于条件：ΔL远小于L（即长沟道）而得到的，此时才有的近似线性关系，而对于短沟道器件则上述条件不成立，它会导致饱和ID/VDS特性曲线的斜率可变。 亚阈值效应 亚阈值效应又称为弱反型效应 前面分析MOS管的工作状态时，采用了强反型近似，即假定当MOS管的VGS大于Vth时，表面产生反型，沟道立即形成，而当MOS管的VGS小于Vth时，器件就会突然截止。 亚阈值效应 但MOS管的实际工作状态应用弱反型模型，即当VGS略小于Vth时，MOS管已开始导通，仍会产生一个弱反型层，从而会产生由漏流向源的电流，称为亚阈值导通，而且ID与VGS呈指数关系： 其中ξ1是一非理想的因子；ID0为特征电流：，m为工艺因子，因此ID0与工艺有关；而VT称为热电压：。 亚阈值效应 亚阈值工作特点： 在亚阈值区的漏极电流与栅源电压之间呈指数关系，这与双极型晶体管相似。 亚阈值区的跨导为： 由于ξ1，所以gmID/VT，即相同电流MOS管最大跨导比双极型晶体管（IC/VT）小。 亚阈值效应 对于饱和区的MOS管，提高跨导增大W而保持ID不变，但ID保持不变的条件是降低VOV，进而进入亚阈值工作状态时跨导最大。 所以为了得到亚阈值区的MOS管的大的跨导，其工作速度受限（大的器件尺寸引入了大的寄生电容）。 温度效应 温度效应对MOS管的性能的影响主要体现在阈值电压Vth与载流子迁移率随温度的变化。 阈值电压Vth随温度的变化：以NMOS管为例，阈值电压表达式两边对温度T求导可以得到：温度效应 上式的值小于零，即阈值电压随温度上升而下降。 对于PMOS管则dVth/dT总为正值，即阈值电压随温度的上升而增大。 温度效应 载流子迁移率随温度的变化 实验表明，对于MOS管，如果其表面电场小于105V/cm，则沟道中电子与空穴的有效迁移率近似为常数，并约为半导体体内迁移率的一半。 实验还发现，在器件工作的正常温度范围内，迁移率与温度近似成反比关系。 温度效应 漏源电流IDS随温度的变化 根据以上的分析，温度的变化会引起阈值电压与迁移率的变化，进而影响其漏源电流。由萨氏公式两边对T求导得：温度效应 则有：由于温度的变化对阈值电压与迁移率的影响正好是反向的，漏源电流IDS随温度的变化取决于这两项的综合，因此，MOS管的电性能的温度稳定性比双极型的晶体管好。 MOS管的小信号模型 MOS管交流小信号模型---低频 小信号是指对偏置的影响非常小的信号。 由于在很多模拟电路中，MOS管被偏置在饱和区，所以主要推导出在饱和区的小信号模型。 在饱和区时MOS管的漏极电流是栅源电压的函数，即为一个压控电流源，电流值为gmVGS，且由于栅源之间的低频阻抗很高，因此可得到一个理想的MOS管的小信号模型，如图所示。 MOS管交流小信号模型---低频 (a)(b) MOS管交流小信号模型---低频 其中（a）为理想的小信号模型。 实际的模拟集成电路中MOS管存在着二阶效应，而由于沟道调制效