实验34MOS晶体管的模型参数提取.docVIP

实验34 MOS晶体管的模型参数提取 MOS晶体管具有易于集成和功耗低等优点，在集成电路中有着广泛的应用。MOS晶体管模型是用于描述MOS晶体管行为的参数的集合，这些参数反映了晶体管各种电学、工艺和物理特性，来源于测量和计算。实际的工艺参数能够准确地反映在模型中，精确的器件模型是进行集成电路设计与分析的基本前提和重要基础，是不可或缺的。 本实验要求学生在理解MOS晶体管大信号和小信号行为的基础上，通过使用Excel软件对MOS晶体管的主要模型参数进行计算，并根据给定工作条件完成各MOS晶体管的等效电路建立。 一、实验原理 1. 阈值电压 MOS晶体管形成反型沟道所需要施加的栅源电压称为阈值电压。MOS晶体管阈值电压由三部分构成，首先形成沟道下方耗尽层电荷稳定存储所需施加的电压，其次克服栅材料与衬底材料间的功函数差异所需施加的电压，第三克服栅氧化层中正电荷的影响所需施加的电压。 典型的增强型N沟道MOS晶体管具有图34.1所示纵向结构。当栅极施加正偏压时，N型沟道产生，栅氧化层下方经历由P型掺杂变为耗尽再变为N型的过程，硅表面势由原始负值()，增加到零()，再到正值()，这一现象称为反型。费米能级的定义为： (34-1) 式中，是掺杂浓度，N型为，P型为，是电子电量，是玻尔兹曼常数，是本征载流子浓度。对于费米能级，当半导体为N型掺杂时取正号，P型掺杂时取负号。 当源漏两端不加偏压时，随着栅极电压的增大，产生的反型层逐渐变厚，不加衬底偏置电压时，反型层下方的耗尽层厚度不随栅源之间偏置电压的增加而变化，形成了稳定的耗尽层电荷密度，N沟器件为负，P沟器件为正，以NMOS为例，其表达式为： (34-2) 当存在衬底反向偏置电压（N沟器件为负）时，形成反型层需要表面势变化，耗尽层存储的电荷密度为： (34-3) 综上所述，NMOS晶体管阈值电压可以采用下式描述： (34-4) (34-5) (34-6) (34-7) (34-8) (34-9) 式中，是时的阈值电压，也称为零阈值电压，称为体阈值参数，用于描述衬底偏压不为零时对阈值电压的影响，称为单位面积电容，可以采用下式计算： (34-10) 式中，为真空介电常数，为SiO2材料的相对介电常数，为栅氧化层厚度。 2. MOS晶体管漏电流 NMOS晶体管的工作情况如下： 截止区：当且时，漏电。 饱和区：当时，晶体管源极一侧沟道开启，漏极一侧沟道夹断，此时漏电流为： (34-11) 式中，、称为跨导参数，、分别为器件沟道有效宽度和有效长度，为沟道长度调制参数，反映沟道长度随偏压而改变对漏电流的影响。跨导参数可以采用下式计算： (34-12) (34-13) 式中，为场区氧化向源漏区横向侵蚀长度，为源漏区杂质向沟道的横向扩散长度。 非饱和区：当为： (34-14) PMOS晶体管的工作情况如下： 截止区：当且时，漏电。 饱和区：当时，晶体管源极一侧沟道开启，漏极一侧沟道夹断，此时漏电流为： (34-15) 非饱和区：当为： (34-16) 3. 大信号模型 NMOS晶体管完整的大信号模型如图34.2所示，其中漏电流与前面讲述内容一致，模型中还包括了源极、漏极与衬底间寄生结电容，源、漏串联电阻等。图34.2中，、为源极、漏极欧姆接触电阻，这些电阻的典型值为50～100Ω，其值较小可以忽略；二极管表示源区与衬底和漏区与衬底之间的PN结，为使晶体管能够正常工作，这些二极管必须始终反偏，在直流模型中主要用来模拟泄漏电流；和为源-体和漏-体电容，属于PN结结电容，其大小与源-体和漏-体之间耗尽层上的反向偏置电压有关；、和为栅-源、栅-漏和栅-体交叠电容，属于平行板电容，其大小依赖于栅极尺寸和晶体管工作条件。 二极管电流： 二极管泄漏电流可以表示为： (34-17) (34-18) 其中，和为源-体和源-漏反偏压，为PN结的反向饱和电流，其表达式为： (34-19) 式中，为PN结面积，和为PN结P区耗尽层边界处电子浓度和N区耗尽层边界处空穴浓度，和为电子和空穴的扩散系数，和为电子和空穴的扩散长度，和为施主和受主杂质浓度，为本征载流子浓度。 耗尽层电容参数： PN结耗尽区形成的电容称为耗尽层电容，它是由结附