第4章离子注入课件.ppt

5. 沾污 包括重金属沾污和碳沾污，造成漏电和其它缺陷 6. 静电效应 在片上有大面积SiO2等介质时，注入使表面堆积静 电荷，电场将影响结深。 4.7 埋层介质 当在硅中注入大剂量的 O+、N+、C+ 时，可以形成 SiO2、Si3N4、SiC 等薄膜。特别是当用高能量注入时，可以在硅表面以下形成埋层介质。通过高能注入 N+ 形成 Si3N4 的工艺称为 SIMNI ，而通过高能注入 O+ 形成 SiO2 的工艺称为 SIMOX ，后者的应用更为普遍。 这种技术可用于实现器件和电路的隔离。采用此技术制成的埋沟 MOSFET ，其寄生电容及短沟道效应都小得多。 SIMOX 技术的主要问题是金属沾污问题、均匀性问题和成本问题。 SOI 的埋层氧注入 Silicon On Insulater (SOI) 1. 注入元素 O－－SIMOX、N--SIMNI SOI 形成原理 注入的O与Si在高温下合成SiO2埋层，表面在注入过程中始终保持单晶，高温退火使O凝聚，消除埋层中的Si岛和Si中的氧沉淀。 3. 注入条件 剂量： 1.8e18/cm2 ，150~300KeV，400oC 退火温度： 1300－1350oC， 6小时 气氛 Ar+1%O2 理论模拟 可以用Trim 94 或 Suprem.3 软件模拟各种离子注入硅或其它单质、化合物衬底的平均投影射程、标准偏差、损伤分布等。 4.10 小结 本章首先描述了离子注入系统的组成部分，特别是对各种离子源和质量分析系统作了较详细的介绍。离子注入后的杂质浓度分布为高斯函数分布。讨论了离子注入的沟道效应及防止措施。离子注入后必须进行退火处理，目的是激活杂质和消除注入损伤。通过高剂量的氧离子注入，可以形成绝缘埋层。 下面总结一下离子注入的优缺点。 1、可控性好，离子注入能精确控制掺杂的浓度分布和掺杂深度，因而适于制作极低的浓度和很浅的结深； 2、可以获得任意的掺杂浓度分布； 3、注入温度低，一般不超过 400℃，退火温度也在 650℃ 左右，避免了高温过程带来的不利影响，如结的推移、热缺陷、硅片的变形等； 4、结面比较平坦； 离子注入的 优点 5、工艺灵活，可以穿透表面薄膜注入到下面的衬底中，也可以采用多种材料作掩蔽膜，如 SiO2 、金属膜或光刻胶等； 6、均匀性和重复性好； 7、横向扩展小，有利于提高集成电路的集成度、提高器件和集成电路的工作频率； 8、可以用电的方法来控制离子束，因而易于实现自动控制，同时也易于实现无掩模的聚焦离子束技术； 9、扩大了杂质的选择范围； 10、离子注入中通过质量分析器选出单一的杂质离子，保证了掺杂的纯度。 离子注入的 缺点 　　1、离子注入将在靶中产生大量晶格缺陷，且注入的杂质大部分停留在间隙位置处，因此需要进行退火处理； 　　2、离子注入难以获得很深的结深； 　　3、离子注入的生产效率比扩散工艺低； 　　4、离子注入系统复杂昂贵。 * 小结 什么是离子注入？离子注入技术的优点有哪些？ 离子注入的二个步骤？ 什么是沟道效应，如何避免沟道效应？ 离子注入系统的组成？各部分的作用？ 什么是注入损伤？ 退火的特点是？退火在离子注入过程中的作用？? P121： 1，2，4 P122： 6 作业 * * 功=uq * 兆（10的12次方）  离子注入的掩摸厚度 能屏蔽注入离子的掩摸厚度 横向离散效应 横向效应是指注入离子在注入窗口边缘以外产生一定的分布。横向效应对小尺寸MOS器件性能有重要影响。 横向离散效应 横向离散不但与离子种类有关，也与离子能量有关。由LSS理论计算的B、P、As的横向离散的标准误差ΔRt。 轻离子的横向分布效应大于重离子，但都比扩散小 ?扩散：比值0.75～0.85 ?注入：B为0.5 所以短沟道MOS必须 采用离子注入技术 4.4 注入损伤 离子注入衬底单晶与衬底原子作级联碰撞，产生大量的位移原子，注入时产生的空位、填隙原子等缺陷称为一次缺陷。在剂量达到一定数值后，衬底单晶非晶化，形成无定型结构。使衬底完全非晶化的注入剂量称为阈值剂量。不同衬底和不同的注入离子，在不同的能量、剂量率和不同温度下有不同的非晶剂量。轻原子的大