Chpt1-ESD基础部分1讲述.ppt

以电荷量来看 ... 人体可以感觉到 : 300 nC 的放电 很敏感的器件的危险水平 : 0.1 nC 的放电 多数敏感器件的危险水平 : 数十 nC 的放电 100 ~ 3000 倍的差异 ! 静电和人体感觉 器件的敏感度 ESD 敏感度的分档 不同的敏感度需要不同的控制做法 太多的管制增加成本以及操作困难 我们必须在成本、可操作性和效率之间取得 平衡 分档的目的 : 所以知道器件的敏感度是重要的！ Class I : 0 ~ 1,000 volts Class II : 1,000 ~ 4,000 volts Class III : 4,000 ~ 15,000 volts Hewlett Packard 内部标准 ATT 内部标准 Class I : 200 ~ 499 volts Class II : 500 ~ 1,999 volts Class III : 2,000 volts Class 0 : 0 ~ 199 volts Class IV : No ESDS MIL-STD-1686 推荐 Class I : 0 ~ 1,999 volts Class II : 2,000 ~ 3,999 volts Class III : 4,000 ~ 8,000 volts 业界有不同的标准 ... ESD 敏感度的分档 较常用的ESDA标准 ... ESD 敏感度的分档 MIL-STD-1686C ESD model HBM MM CDM ESD Class Class I Voltage Range ~ 1,999V Class II 2,000V ~ 3,999V Class III 4,000V ~ 15,999V Class M1 ~ 100V Class M2 101V ~ 200V Class M3 201V ~ 400V Class M4 401V ~ 800V Class M5 800V Class C1 ~ 100V Class C2 101V ~ 200V Class C3 201V ~ 400V Class C4 401V ~ 800V Class C5 800V Class C6 401V ~ 800V Class C7 800V HBM 模式在业界中是最常用的, 不过器件还可能在其他如 MM 或 CDM 模式下被破坏，甚至更容易遭受破坏。所以了解您的供应商的测量模式是关键的。 模式化对比较和沟通工作十分重要 即使在相同的模式中，测量结果还可能 有一定的差异会出现 ESD 敏感度的分档 ESD 破坏 有三种途径可以对ESDS器件造成破坏： 1. 对ESDS器件直接放电 2. 从ESDS器件对外放电 3. 间接对ESDS器件放电 ( 也被称为EMI 感应破坏 ) 绝缘体和导体 绝缘体是个问题，因为静电可以产生和累积其上。而 导体也可能是个问题。因为导体造成快速的放电！ 最终造成电晕放电或电感破坏现象。 ESD 破坏种类 严重损坏： 例如： 金属熔化, 短路等。 完全失去功能。 潜在损坏： 局部损坏： 部分功能退化。 部分功能退化，使用中继续退化，直到完全失效。 看个别使用情况而定，局部损坏可能进一步变成潜在损坏！ 暂时失效： 数据电路中的功能受到干扰或Data遗失。 ESD 破坏 ESD 破坏 ESD 破坏 严重损坏 局部 / 潜在损坏 ESD 破坏种类比例 严重损坏 10% 潜在损坏 60% 局部损坏 30% 应该关注潜在损坏的情况 ! （电子业界预计） 潜在损坏的特性 潜在损坏的破坏力强大 。。。 发现和证明都有一定难度 无法及时发现 很难和成因挂钩 维修和处理成本较高 较难推动成因改正工作 通过良好的掌握ESD知识来降低其破坏性 ! 占所有损坏的主要成分 ESD 破坏模式 1. 人体模式 Human Body Model ( HBM ) 3. 带电器件模式 Charged Device Model ( CDM ) 2. 机器模式 Machine Model ( MM ) 对器件放电 … 从器件放电 … 3种常见的破坏模式： … 不同的模式需要不同的对策 ! 人体放电模式 ( HBM ) 模式电路模拟带电人体对器件放电的情况 70和80年代的主要破坏模式，在今天仍有重 随着人体接地应用、器件保护设计、以及自 在维修保养作业中容易被忽略（尤其是在 Field service方面） 要地位 动化的普及，相对重要性在衰减中 典型参数数据： Cp = 50 ~ 250 pF 80% 人口 100 pF Rp = 1 ~ 5 K? ( 1 ~ 2 常见) Current Time (nsec) 典型 rise