第5章_MEMS工艺..pptVIP

反应离子刻蚀 反应离子刻蚀（Reactive ion etch）是在等离子中发生的。 随着材料表层的“反应－剥离－排放”周期循环，材料被逐层刻蚀到制定深度。 衡量反应离子刻蚀的指标： 掩模的刻蚀比 刻蚀的各向异性程度 其它：刻蚀速率、刻蚀均匀性等 等离子腐蚀 刻蚀过程主要是化学反应刻蚀，是各向同性的，主要作为表面干法清洗工艺。 利用气体辉光放电电离和分解稳定的原子所形成的离子和活性物质，与被腐蚀的固体材料作用，产生挥发性的物质或气态产品。 DRIE、ICP刻蚀工艺 反应离子深刻蚀 改善刻蚀的方向性，即各向异性，一直是反应离子刻蚀技术发展过程中不懈追求的目标。 完全化学刻蚀是各向同性的，完全的物理刻蚀虽然有很好的方向性，但有很差的选择性，即掩模本身经受不了长时间的刻蚀。 电感耦合等离子体（ICP），Bosch工艺 反应离子深刻蚀的要求： 需要较高的刻蚀速率，否则刻穿500um厚的硅片需要太长的时间； 需要极好的各向异性，即刻蚀的边壁垂直。 除了离子物理溅射之外，反应离子刻蚀从本质上是各向同性，为了阻止或减弱侧向刻蚀，只有设法在刻蚀的侧向边壁沉积一层抗刻蚀的膜。 Bosch工艺 所谓Bosch工艺就是在反应离子刻蚀的过程中，不断在边壁上沉积抗刻蚀层或边壁钝化 八氟环丁烷离化后在底面和侧壁形成聚合物钝化层。 通入刻蚀气体SF6刻蚀掉底部钝化层，并进一步刻蚀硅。新暴露的侧壁被新的钝化层