4-7能态密度和费米面分析.pptVIP

* 电子在晶体中按能级是如何排布的呢？ 电子是费密子，它的排布原则有以下两条： （1） 服从泡里不相容原理 排满电子的能带称为满带； 排了电子但未排满的称为未满带（或导带）； 未排电子的称为空带； （有时也称为导带）； 两个能带之间的禁带是不能排电子的。 （2） 服从能量最小原理 * 导体和绝缘体 （conductor insulator） 它们的导电性能不同， 是因为它们的能带结构不同。 晶体按导电性能的高低可以分为 导体 半导体 绝缘体 * 三、晶体能带的填充情况 第一种情况：只有满带和空带 电子恰好填满最低的一系列能带，再高的各带全部是空的。 最高的满带——价带；最低的空带——导带（此时导带为空带） ； 价带最高能级（价带顶）与导带最低能级（导带底）之间的能量范围——带隙。 带隙宽度大(约10eV)——绝缘体； 带隙宽度小(约1eV)——半导体。 * 第一种情况：只有满带与空带——图示 电子填充状态 未被电子填充状态 半 导 体 绝 缘 体 * 晶体能带的填充情况 除去完全被电子充满的一系列能带（即满带）外，还有只是部分被电子填充的能带(即未满带)，常被称为导带（此时，导带为不满带）。 第二种情况：除满带和空带，还存在未满带 电子填充状态 未被电子填充状态 * 导体 导体 导体 半导体 绝缘体 ?Eg ?Eg ?Eg * 在外电场的作用下，大量共有化电子很 易获得能量，集体定向流动形成电流。 从能级图上来看，是因为其共有化电子 很易从低能级跃迁到高能级上去。 E 导体 * 从能级图上来看，是因为满带与空带之间 有一个较宽的禁带（?Eg 约3～6 eV）， 共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到 高能级（空带）上去。 在外电场的作用下，共有化电子很难接 受外电场的能量，所以形不成电流。 的能带结构,满带与空带之间也是禁带， 但是禁带很窄（?E g 约0.1～2 eV )。 绝缘体 半导体 * 绝缘体与半导体的击穿 当外电场非常强时，它们的共有化电子还是 能越过禁带跃迁到上面的空带中的。 绝缘体 半导体 导体 * 例一、碱金属是电子填充情况 以Na晶体为例，来说明电子填充情况。 结构：体心立方晶格，每个原胞有一个原子。 电子组态：1s22s22p63s1 分析：由1s22s22p6组态能级扩展的五个能带正好被十个电子所填满（即满带），剩下一个3s带，只被一个3s电子填充到一半（即半满带）。这时若将钠晶体置于一外电场中，这个3s带中的电子将在外电场作用下，获得加速，跃入能量较高的空的能态位置上去。从而在布里渊区中建立一个沿电场方向不对称的电子占据态分布，导致沿外场方向出现电流。 * 例一、碱金属是电子填充情况 而在满带中的电子，不存在上述构成电流的条件，由于中心布里渊区的对称性，存在等量的+k和-k电子，其贡献的电流互相抵消，即使在外电场作用下也互相抵消。 总结：钠晶体是良导体的原因在于其电子结构中存在半满带。 金属（碱金属，贵重金属等） * 例二、IIA族二价碱土金属 以Mg元素为例来分析IIA族的碱土金属的电子填充情况。 电子组态：1s22s22p63s2 分析：1s2，2s2，2p6，3s2等原子能级扩展的4个电子能带是满带，而且3s带也是一个满带，它正好容纳2个3s电子（对每个原子而言）。外电场作用下不能激发电流，论理应是非导体，但事实Mg却是良导体(认为3s 带和更高的3p带有交叠)。 * 例二、IIA族二价碱土金属 原因在于3s和3p能级十分接近，扩展后的3s和3p能带将发生部分重叠，因此3s带尚未填满时，就会有部分电子已进入3p带中，即3s和3p能带都成为未满带。在外电场作用下，则会激发而产生电流。 金属（碱土金属等） * k1方向上的3p带底能量低于k2方向的3s带能量，导致部分3s电子占据3p带中较低的状态，两个带都变成未充满的带。 * 例三、半金属 与碱土金属的电子填充情况相比，二者的区别在于半金属的能带交叠很小，其导电性比碱土金属还低几个数量级，故称为半金属。但其本质上仍是金属，费米能级处在能带重叠部分里。 例如，与三价铝同族的镓，铟，铊； 三价铝是优良金属，但它们的导电性与铝相比却相差很大，这是由于受d层电子的影响。 半金属 * 例三、半金属 又如：VA族的砷，锑，铋等等。 结构分析：它们是以双原子基胞构成复式晶格，每个基胞中价电子数是偶数（10），理论上最外带应该是满带，属于非导体，但由于它们同碱土金属一样，价电子带与再上面的一个能带少量重叠，只是重叠很小很小，导