模电课件-第1章半导体13分析.ppt

* * G S D UDS UGS UGS=0 UDS UGS(off)时 P P UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 G S D UDS UGS P P ID UGS0 、UDS0时 预夹断所需UDS减小，ID减小，夹断点随UGS变化由以上分析知，改变UGS可控制漏极电流ID， UGS改变引起PN结中的电场改变，再控制ID ，故称场效应管。 输出特性曲线 三、特性曲线 转移特性曲线 uGS 0 iD IDSS UGS(off) 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 1.4.2 绝缘栅场效应管 一、结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 N 沟道耗尽型 P N N G S D 预埋了导电沟道 G S D N P P G S D G S D P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 预埋了导电沟道 二、MOS管的工作原理 以N 沟道增强型为例 P N N G S D UD