数字电子技术第8章半导体存储器(免费阅读).ppt

第8章 半导体存储器 8.2 只读存储器(ROM) （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存 储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 8.2 只读存储器(ROM) 根据表达式画出ROM存储点阵如下图。 根据表达式画出ROM存储点阵如下图。 根据表达式画出ROM存储点阵如下图。 快闪存储器吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点,又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性,而且集成度可以作得很高。下图是快闪存储器采用的叠栅MOS管的结构示意图及符号。 浮置栅一源区间的电容要比浮置栅一控制栅间的电容小得多。当控制栅和源极间加上电压时,大部分电压都将降在浮置栅与源极之间的电容上。快闪存储器的存储单元就是用这样一只单管组成的,如图所示。 1.作函数运算表电路 【例7.2—1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 Y7=m12+m13+m14+m15 【解】 （1）写出各函数的标准与或表达式： 按A、B、C、D顺序排列变量，将Y1、Y2、Y4扩展成为四变量逻辑函数。 （2）选用16×4位ROM，画存储矩阵连线图： 8.3 随机存取存储器（RAM） 存储矩阵 地址译码器 读写控制器 输入/输出控制 片选控制 片选及输入/输出控制电路 　　当选片信号CS＝1时，G5、G4输出为0，三态门G1、G2、G3均处于高阻状态，输入/输出（I/O）端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读/写操作，即不工作； T7、T8是数据存入或读出存储内容的控制通道。 T1、T2、T3、T4基本RS触发器，T5、T6为门控管，当Xi为1时，T5、T6导通，触发器输出与位线连接；当Xi为0时， T5、T6截止，触发器输出与位线断开。 8.3.3 动态RAM 8.4 存储器容量的扩展 　　下图是用4片256×1位的RAM扩展成256×4位的RAM的接线图。 1. ROM构成的全加器 ROM的应用举例 在数字系统中ROM的应用十分广泛，如组合逻辑、波形变换、字符产生以及计算机的数据和程序存储等。 输入变量 A —— 加数 B —— 加数 C0 —— 低位进位数 输出变量 S —— 本位和 C —— 向高位进位数 A B C0 十进制 最小项 被选中字线 最小项编号 位线 S C 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 2 3 4 5 6 7 A B C0 A B C0 A B A C0 A C0 B C0 B C0 A B B C0 A C0 B A W0=1 W1=1 W2=1 W3=1 W4=1 W5=1 W6=1 W7=1 m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 全加器逻辑状态及三变量最小项编码 根据表可得： WO m0 W1 m1 W2 m2 W3 m3 W4 m4 W5 m5 W6 m6 W7 m7 S C A B C 最 小 项 译 码 器 图22.1.6 ROM构成的全加器 WO m0 W1 m1 W2 m2 W3 m3 W4 m4 W5 m5 W6 m6 W7 m7 S C A B C 最 小 项 译 码 器 0 1 1 选中 0 1 如： ROM的应用 【解】（1）分析要求、设定变量 自变量x的取值范围为0～15的正整数，对应的4位二进制正整数，用B=B3B2B1B0表示。根据y=x2的运算关系，可求出y的最大值是152＝225，可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。 （2）列真值表—函数运算表 （3）写标准与或表达式 Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12 Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15 Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15 Y3=m3+m5+m11+m13 Y1=0 Y2=m2+m6+m10+m14 (4)画ROM存储矩阵结点连接图 为做图方便，我们将ROM矩阵中的二极管用节点表示。 Y0= m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15 2.实现任意组合逻辑函数 【例7.2—2】试用ROM实现下列函数： 　　随机存取存储器又叫随机读/写存储器，简称RAM，指的是可以从任