数字电路基础D0204CMOS门电路.docVIP

2.4 CMOS门电路 MOS管是金属一氧化物一半导体场效应管(Metal—Oxide—Semiconductor Field— Effect—Transistor)的简称，属单极型晶体管。以MOS场效应管作为开关元件的门电路叫做MOS门电路。MOS门电路有3种：使用P沟道管的PMOS电路；使用N沟道管的NMOS电路以及由PMOS管和NMOS管共同组成的互补CMOS单元电路构成的CMOS电路。 2.4.1四种类型的MOS场效应管 1．增强型MOS管 增强型NMOS管结构是 在P型半导体衬底(B)上，扩散两个高掺杂浓度的N型区，形成MOS管的源极(S)和漏极(D)；在漏源极间硅片的表面再生成二氧化硅绝缘层。在绝缘层上覆盖一层金属铝或多晶硅，引出第三个电极作为栅极(G)。栅极与其他电极是绝缘的。增强型MOS管的特点就是在栅极一源极间电压＝0时，没有原始导电沟道，漏极电流ID＝0。 (1)N沟道增强型MOS管 采用P型衬底，导电沟道是N型，只有uGS大于开启电压UT(UT＞0)时，才建立导电沟道。工作时漏极使用正电源，同时应将衬底与源极相连或者接到系统的最低电位上。图2-4-2(a)中示出了增强型NMOS管的电路符号。 (2)P沟道增强型MOS管 图2—4—2(b)所示是增强型PMOS管的电路符号。它采用N型衬底，导电沟道为P型。只有在栅极上加以足够大的负电压，使％Gs小于开启电压(Dr＜0)时，才能建立P型的导电沟道。这种MOS管工作时漏极使用负电源，同时应将衬底与源极相连或者接到系统的最高电位上。 2．耗尽型MOS管 耗尽型MOS管的结构形式与增强型MOS管相同，不同之处是在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的带电离子(结构图略)，比如在耗尽型NMOS的二氧化硅绝缘层中掺人了大量的正离子。图2—4—3示出了它们的电路符号，从图中可见，漏极D—源极S间是连通的，表示uGS＝0时就有原始导电沟道存在，在正常工作情况下，漏极电流iD ( 0。 (1) N沟道耗尽型MOS管 采用P型衬底，导电沟道为N型，图2-4-3(a)示出了它的电路符号。在以uGS＞0时，导电沟道随之变宽，漏极电流iD增大；uGS为负时导电沟道变窄，iD减小，直到uG小于夹断电压UP (UP＜0，导电沟道才消失，MOS管截止，iD＝0。在正常工作时，对衬底的处理与增强型NMOS管相同。 (2) P沟道耗尽型MOS管 图2-4-3(b)是P沟道耗尽型MOS管的电路符号。当uGS为负时导电沟道进一步加宽， iD 的绝对值增加；而uGS为正时导电沟道变窄，iD 减小。当uGS电压大于夹断电压UP(UP＞0) 时，导电沟道消失，管子截止。在正常工作时，对衬底的处理与增强型PMOS管相同。 2.4.2 MOS管的开关特性 2.4.3 CMOS反相器 CMOS逻辑门电路是目前应用较为普遍的逻辑电路，它同NMOS一样，适宜制作大规模集成电路(如存储器和微处理器等)，下面先讨论CMOS反相器，然后再介绍其他CMOS逻辑门电路。 CMOS反相器如图2-4-5所示，它由一对增强型NMOS和PMOS管组成，其中VTl为驱动管，而VT2为负载管。由图可见，NMOS管VTl和PMOS管VT2的漏极相连作为反相器的输出，而它们的栅极连在一起作为逻辑输入端，VT1的源极接地，VT2的源极接十UDD。为了使电路能正常工作，要求UDD大于NMOS管和PMOS管的开启电压之和，即UDD＞UTN十UTP。 1．CMOS反相器的工作原理 如果VTl和VT2的开启电压分别为UTN 和UTP，当输入为低电平UiL＝0V时，VTl管的UGS＜UTN，VTl截止，但由于VT2管的UGS＞|UTP |，所以VT2导通，输出高电平UoH接近于十5V 。反之当输入为高电平UiH＝+5V时，VTl管的UGS＞UTN，VTl导通截止，但由于VT2管的UGS(|UTP |，所以VT2截止，输出低电平UoL接近于0V。 2．CMOS反相器的电压传输特性 CMOS反相器的电压传输特性如图2-4-6 所示。 3．CMOS反相器的输入端的保护 由于MOS管栅极容易击穿，必须采取保护措施。通常在输入端设置保护电路。如图 2-4-8 所示。 4．CMOS反相器的输出特性和负载能力 CMOS反相器的输出特性。 CMOS反相器有输入阻抗高的特点。当带同类门负载时，有更大的扇出系数。一般可带 50个同类的门电路。但是若带TTL门电路或电阻负载的能力很小，这是需要使用CMOS驱动器。 5．CMOS反相器的功率损耗 6．CMOS反相器的传输延迟特性 2.4.4 其他类型的CMOS门电路 以CMOS单元电路