2014年秋季-微电子器件基础--第1章概论.ppt

* * * 1.6.2 硅、锗半导体的价带结构 A、价带顶在布里渊区中心 ； B、计电子自旋，价带包括一组4度简并态（重空穴能带、轻空穴能带）和一组2度简并态（自旋耦合分裂能带）； A、B、C由回旋共振确定 重空穴 能带 硅 锗 0.53 0.36 等能面为扭曲面， -- 自旋-轨道耦合分裂能量 A、B、C由回旋共振确定 自旋轨道耦合分裂能带 轻空穴 能带 等能面为扭曲面， 硅 锗 0.16 0.044 A由回旋共振确定 1.6.3 硅、锗半导体111、100方向的能带结构 Si 100 L X Γ 111 4 3 2 1 0 -1 -2 Eg 4 Eg Ge L X Γ 3 2 1 0 -1 -2 111 100 Si Ge 能量（eV) 能量（eV) 1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体能带 （主要应用于光电子器件、光电集成） ①第一布里渊区为截角八面体（14面体）; ②价带顶在布里渊区中心或中心附近，价带包括1个重空穴能 带、1个轻空穴能带、1个自旋-轨道耦合分裂能带; ③重空穴有效质量差别很小; ④若平均原子序数较高，其导带底在布里渊区中心，导带电 子有效质量较小。若平均原子序数较低，其导带底在100 或111方向; ⑤大部分为直接带隙、室温下的禁带宽度在1eV以上; 1.7.1 共同特点 Ⅲ族元素：B、Al、Ga、In Ⅴ族元素：N、P、As、Sb 15种化合物半导体 1.7.2 锑化铟（InSb）能带 111 111 0 Eg=0.18 V1 V2 V3 10-4 结构：闪锌矿型 价带：价带顶接近布里渊区中心 导带：导带底在布里渊区中心 (直接带隙) 能量（eV) 0.29 低能谷 高能谷 1.7.3 砷化镓（GaAs）能带 〈100〉 L X Γ 〈111〉 导带：导带底在布里渊区中心 L点、X点有极小值 4 3 2 1 0 -1 -2 价带：价带顶在布里渊区中心 能量（eV) GaAs特性： ①直接带隙，光电转换效率高 ②电子迁移率比Si高5-6倍 ③容易制成非掺杂半绝缘晶体，电阻率达到 ④器件耐400℃高温 　 ⑤抗辐射能力强 ⑥良好的太阳能电池材料 ⑦微波器件材料 1.7.4 磷化铟（InP)、磷化镓（GaP)能带 价带：价带顶在布里渊区中心 导带：导带底在（100）方向 磷化镓 磷化铟 价带：价带顶在布里渊区中心 导带：导带底在布里渊区中心 1.7.5 Ⅲ–Ⅴ族化合物混合晶体能带 一种Ⅲ-Ⅴ族化合物与一种Ⅲ-Ⅴ族化合物的连续固熔体晶体能带 例：磷砷化稼 -- 混晶比（组分） 三元化合物半导体 GaP 100% 80 60 40 20 0 Eg(eV) 0 20 40 60 80 100% GaAs 1.6 2.0 2.4 1.2 类砷化镓能带 类磷化镓能带 能带 四元混合晶体 例： 禁带宽度随混晶比的变化, P33图1-30 1.8 Ⅱ-Ⅵ 族化合物半导体能带 (主要应用于红外、远红外探测） Ⅱ族元素：Zn、Cd、Hg Ⅵ族元素：S、Se、Te 化合物半导体, ZnS、ZnSe、ZnTe、 CdTe、HgTe 混合晶体半导体, CdTe和HgTe制成Hg1-xCdxTe三元混合晶体 Hg1-xCdxTe能带图1-33，P34 CdTe能带图1-32，P34 CdTe is a highly useful material in the making of thin film solar cells. Thin-film CdTe provides a cost-effective solar cell design. CdTe can be alloyed with mercury to make a versatile infrared detector material (HgCdTe). CdTe alloyed with a small amount of zinc makes an excellent solid-state X-ray and gamma ray detector (CdZnTe). CdTe is used as an infrared optical m