第二章晶体结构的缺陷(第4讲).pptVIP

2.7 半导体晶体中的掺杂缺陷—电子缺陷 根据能带理论，当原子或离子紧密堆积形成晶体时，外层 价电子是离域的，所有的价电子归整个晶格的原子所共有。 外层电子(能量高) 势垒穿透概率较大，可以在整个固体中 运动, 称为共有化电子。 内层电子与原子核结合较紧,一般是非共有化电子。 价电子波函数线性组合形成的分子轨道在空间上延伸到整 个晶体。 分子轨道数目很多，而其能量间隔极小，所以就形成能带。 能带结构及导体、半导体和绝缘体的划分 根据电子占据情况能带分为： 满带：由充满电子的能级构 　　　　成，能量较低； 价带：由未充满电子的能级 　　　　构成，能量较高； 空带：由未填电子的能级构 　　　　成，能量较高； 　禁带：满带顶到导带底之间 　　　　的能量间隔。 本征半导体：物体的半导体性质是由电子从满带激发到导 　　　　　　　带而产生的。 　　载流子：电子和空穴。 　　高纯半导体在较高温度时，才具有本征半导体的性质。 杂质半导体：半导体中掺入杂质时，其导电性能和导电机 　　　　　　　构与本征半导体不同。 　　 载流子：电子（n-型）或空穴（p-型）。 　　 实际使用的半导体都是掺杂的，掺杂不仅可增加半导 体的导电能力，并且可通过控制掺入杂质原子的种类和 数量形成不同类型的半导体。 　 一般化合物其化学式符合倍比定律和定比定律 。 　　非化学计量化合物：组成不符合倍比和定比定律， 　　　　　　　　　　　 偏离其化学式的化合物。 　　　　 例如：方铁矿 （ Fe0.89O 至 Fe0.96O，通常记为Fe1-xO） 　　　　　 TiO2-x 、Zn1+xO及黄铁矿FeS1+x等。 　　易形成非计量化合物的阴离子：O2-、S2-和H-离子； 　　　　　　　　　　　　阳离子：过渡金属和稀土金属， 　　　　　　　　　　　　　　　　一般具有可变的化合价。　　　　　　　　　　　 　　非化学计量化合物晶体中往往形成点缺陷结构，且这些缺陷 　　一般是空位、间隙离子与电子、空穴的复合 ，具有半导体性 　　质，或使材料出现一系列色心。 　根据点缺陷形式，非化学计量氧化物有如下四类： 2.9　色心 F色心： 阴离子空位捕获1个电子（Vx· + e’）（缺陷缔合体） 　　　　或1个电子占据1个阴离子空位 　　　　在氧化物中2个电子占据1个氧空位（Vx·· + 2e’） 色心形成对材料性能的影响 　　 　　F色心中，占据阴离子空位的电子是处于半束缚状态，只需不太大的能量就能使它脱离这种半束缚（使缺陷缔合体分解）成为可导电的电子，显示出n型半导体性质。 例如：金红石（TiO2）在还原气氛中焙烧，出现氧离子空位，颜色变黑，产品的电阻率降低，就是由于色心引起的，所以在焙烧含钛的陶瓷时，要注意控制气氛，否则会使产品报废。 本节要点： 1、掌握杂质缺陷及存在形式和相关缺陷反应 方程式。 2、掌握掺杂半导体的能带结构特点及应用。 3、掌握非化学计量化合物缺陷及特点，掌握四 种非化学计量氧化物的形式、特点及缺陷反 应方程式。 4、色心的形成及对材料性能的影响。 蒸汽，加热 骤冷 Na1+x Cl (非化学计量) NaCl (无色透明) (黄 色) 晶体显色是由于在其内部产生了能够吸收可见光的缺陷—色心。 F色心缺陷 点缺陷上的电荷具有一系列分离的允许能级。这些允许能级相当于在可见光谱区域的光子能级，能吸收一定波长的光，使材料呈现某种颜色。 色心能级示意图 蓝绿 620 紫色 563 橙色 459 K 蓝绿 689 蓝绿 620 Rb 紫红 539 橙色 459 / 344 Na 橙色 459 黄绿 388 / 224 Li 颜色 ?max 颜色 ?max 颜色 ?max 溴化物 氯化物 氟化物 化合物 MX色心的光谱数据 F’色心：两个电子占据同1个负一价阴离子空位 （Vx· +2 e’） V色心：空穴占据1个阳离子空位 （VM’ + h·） 色心的类型（缺陷的缔合） [VX? +2e’] F中心缔合电子 F’中心 [VM’ +h ?] 阳离子空位缔合空穴 V1中心 [2VM’ +2h ?] 相邻的两个阳离子空位缔合 两个空穴 V2中心 [VX?+AB?] 杂质阳离子A缔合阴离子空位 FA中心 [VX? +e’] 阴离子空位缔合电子 F中心 VX? 阴离子空位 ?中心 符 号 形 成