5-MOS器件物理回顾.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * MOS 器件频率响应 单位电流增益频率ωT， 忽略Rd和Rs * * MOS 器件频率响应 单位功率增益频率ωmax ， * * MOS 器件频率响应 * * 按比例缩小与短沟道效应 * * 按比例缩小与短沟道效应 * * 按比例缩小与短沟道效应 * * 按比例缩小与短沟道效应 * * 按比例缩小与短沟道效应 * * 按比例缩小与短沟道效应 * * 按比例缩小与短沟道效应 * * 按比例缩小与短沟道效应 * * Scaling Down 对RFIC 设计的影响 * * 其它工艺 Si SOI (SOS) CMOS/BiCMOS – 使用绝缘的衬底大大减小了寄生电容，增加了隔离度，提高了高频性能 – 模型十分复杂，存在self-heating 等问题 – BiCMOS将BJT 的优良性能和CMOS的高集成度很好地结合在廉价的硅片上 GaAs (Gallium Arsenide) – 极佳的高频性能 – 高成本，较低的成品率， GaAs MESFET 有很高的低频噪声 SiGe (Silicon Germanium) – 在速度、噪声、增益、功耗等方面表现突出 – 与现有的硅工艺相兼容，大有前途 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 同学们好 马上就要 上课了！ * * 第5章MOS器件物理回顾 张玉明 西安电子科技大学微电子学院 zhangym@xidian.edu.cn * * MOS场效应管初步 * * CMOS工艺概况 * * CMOS工艺概况 CMOS的寄生pnpn 结构 源极- 衬底间的PN结有可能被正偏而导致可控硅(SCR, Silicon Controlled Rectifier) 结构的触发而引起电源与地之间的短路 * * MOS场效应管初步 1. 称为Flat-Band Voltage，取决于栅和衬底的具体材料( 掺杂浓度) 以及栅氧层所混入的电荷密度，是阈值电压的重要组部分。对于p 型衬底器件，这个电压是负值，也就是说如果不采取任何措施， MOS 管的阈值电压有可能接近或小于0，为此需要在衬底表面注入一层较高浓度的p 型掺杂，以获得电路设计所需的增强型的晶体管。 * * MOS场效应管初步 * * MOS场效应管初步 * * MOS场效应管初步 * * MOS场效应管初步 * * MOS场效应管初步 * * MOS场效应管初步 * * MOS场效应管初步 * * 长沟道MOS管公式小结 * * 长沟道MOS管公式小结 * * MOS管的电容 * * MOS管的电容 关态 线形区 饱和区 Cgs Cov Cgc/2+Cov 2Cgc/3+Cov Cgd Cov Cgc/2+Cov Cov Cgb CgcCcb/(Cgc+Ccb)CgbCgc 0 0 Csb Cjsb Cjsb+Ccb/2 Cjsb+2Ccb/3 Cdb Cjdb Cjdb+Ccb/2 Cjdb * * MOS管的电容 * * MOS管SPICE 模型与等效电路 * * MOS管SPICE 模型与等效电路 * * MOS管SPICE 模型与等效电路 * * 附录一：MOSFET SPICE 参数 * * MOSFET SPICE 参数 * * f T 和f MAX * * f T 和f MAX * * f T 和f MAX * * f T 和f MAX * * f T 和f MAX * * f T 和f MAX * * f T 和f MAX * * f T 和f MAX * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *