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本章目标 掌握 1．半导体二极管的伏安特性和基本应用电路分析； 2．半导体三极管的输入、输出特性； 3．场效应管的输出特性、转移特性； 4．放大的基本概念及放大电路主要技术指标的含义； 5．放大电路静态工作点及动态技术指标的分析方法。 理解 1．N型半导体和P型半导体以及PN结的单向导电性； 2．半导体三极管放大电路三种基本组态的电路组成、工作原理和性能特点； 3．场效应管共源、共漏基本放大电路的电路组成、工作原理及性能特点； 4．二极管应用电路（整流、限幅、钳位）的工作原理。 了解 1. 二极管和三极管的主要性能参数和测试方法。 自测题： P23 评测一 rd的计算 【例】图中的二极管均为理想二极管，试判断其中二极管的工作状态(是导通还是截止)，并求出UO=？。 解题步骤： 1、把两个二极管都暂时移开。 2、求解每只二极管的电压差。正向偏压高的二极管优先导通。 3、用相应的模型替换导通的二极管，计算出UO，且判断另外一个二极管的实际工作状态。 * 第二章 常用半导体器件及应用 2.1　半导体二极管 2.2　特殊二极管及应用 2.3　半导体三极管 2.4　晶体管放大电路 2.5　场效应晶体管 2.6　场效应管放大电路 2.7　晶闸管 2.8　半导体器件应用电路 2.1　半导体二极管 2.1.1　半导体基本知识 2.1.2　 PN 结及其单向导电性 2.1.3　半导体二极管的结构及特性 2.1.4　二极管的等效电路分析 2.1.5　二极管的基本应用电路 2.1.1 半导体 （Semiconductor）基本知识 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。（如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等） 本征半导体 — 纯净的具有晶体结构的半导体。 半导体材料的纯度达到99.9999999%，称为“九个9”。 物理结构上呈单晶体形态。 半导体材料且具有掺杂和光、热敏特性。 温度：温度上升，电阻率下降。 锗由20℃上升到30℃，电阻率降低一半。 掺杂：掺入少量的杂质，会使电阻率大大降低。 纯硅中掺入百万分之一的硼，电阻率由 2.3×105?·cm降至0.4 ?·cm。 光照：光照使电阻率降低。 利用半导体的这些特性制成了各种各样的半导体器件。 引起导电性能产生很大变化的外界条件有： 2.1.1 半导体 （Semiconductor）基本知识 硅(锗)的原子结构 Si 2 8 4 Ge 2 8 18 4 半导体原子简化模型 +4 惯性核 价电子 (束缚电子) +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 价电子 共价键 硅(锗)晶体的共价键结构 共价键 — 本征半导体的原子结构为共价键结构。相邻原子共有价电子所形成的束缚。 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征激发： 　　 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 2.1.1 半导体 （Semiconductor）基本知识 本征半导体中的 自由电子和空穴 空穴可看成带正电的载流子 载流子 —自由运动的带电粒子。 本征激发产生自由电子和空穴两种载流子。 自由电子 空穴 复合—自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 漂移—自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 两种载流子 电子(自由电子) 空穴 两种载流子的运动 自由电子(在共价键以外)的运动 空穴(在共价键以内)的运动 结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少；电子和空穴两种载流子均参与导电； 2. 本征半导体导电能力弱，并与温度和光照激发有关。 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。 2.1.1 半导体 （Semiconductor）基本知识 1、N （Negative）型半导体和 P (Positive)型半导体 N 型 +5 +4 +4 +4 +4 +4 五价杂质原子 自由电子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 载流子数 ? 电子数 P 型 +3 +4 +4 +4 +4 +4 三价杂质原子 空穴 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 ? 空穴数 2.1.1 半导体 （Semiconductor）基本知识—掺杂 2、P 型、N 型半导体的简化图示 负杂质离子 多子 少子 多子 少子 结论 （1）杂质半导体虽有一种载流子占多数,但整个半导体呈中性。 （２）半导体的导电性主要取决多子的浓度。 P型半导体 N型半导体 正杂质离子 施主 离子 受主 离子 2.1.1 半导体