模拟第1章二极管(免费阅读).pptVIP

公式法： 1.4 半导体二极管的应用 二极管在电路中有着广泛的应用，利用它的单向导电性，可组成整流、限幅、检波电路，还可做元件保护以及在数字电路中作为开关元件等。 1.4.2 二极管在整流电路中的应用 1.3.1 理想二极管模型 特性 uD iD 符号及 等效模型 S S 正偏导通，uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) = ? uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) 1.3.1二极管的恒压降模型 1.3.３　二极管的交流小信号模型 图解法 1.4.1 二极管在限幅电路中的应用 限幅电路分为串联限幅电路、并联限幅电路、 并联限幅电路和双向限幅电路三种?。 1. 串联限幅电路 E?0时传输特性 电路组成 E?0时输出波形 E=0时输出波形 E?0时输出波形 工作原理 2. 并联限幅电路 3. 双向限幅电路 1. 单相半波整流电路 2. 全波整流电路 1. 5　特殊二极管 1.5.1 稳压二极管 1.5.2 光电二极管 1.5.3 变容二极管 1.5.1 稳压二极管 一、伏安特性 符号 工作条件：反向击穿 iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmin ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 特性 二、主要参数 1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。 2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好， 小于 Imin 时不稳压。 3. 最大工作电流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM 4. 动态电阻 rZ rZ = ?UZ / ?IZ 越小稳压效果越好。 几 ? ? 几十 ? 5. 稳定电压温度系数 CT 一般， UZ 4 V，CTV 0 (为齐纳击穿)具有负温度系数； UZ 7 V，CTV 0 (为雪崩击穿)具有正温度系数； 4 V UZ 7 V，CTV 很小。 例 1.5.1 分析简单稳压电路的工作原理， R 为限流电阻。 IR = IZ + IL UO= UI – IR R UI UO R RL IL IR IZ 1.5.2 发光二极管与光敏二极管 一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode) 1. 符号和特性 工作条件：正向偏置 一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1 ? 2) V 符号 u /V i /mA O 2 特性 2. 主要参数 电学参数：I FM ，U(BR) ，IR 光学参数：峰值波长 ?P，亮度 L，光通量 ? 发光类型： 可见光：红、黄、绿 显示类型： 普通 LED ， 不可见光：红外光 点阵 LED 七段 LED , * * 第 1 章 半导体二极管及其基本电路 1.1　半导体的基础知识 1.2　半导体二极管 1.3　二极管电路的分析方法 1.5　特殊二极管 　小　结 1.4 半导体二极管的应用 1.1　半导体的基础知识 1.1.1　本征半导体 1.1.2　杂质半导体 1.1.3　PN结 半导体的特点 1.热敏性：半导体的导电能力与温度有关 利用该特性可做成热敏电阻 2.光敏性：半导体的导电能力与光的照射有关系 利用该特性可做成光敏电阻 3.掺杂性：掺如有用的杂质可以改变半导体的导电能力 利用该特性可做成半导体器件 1.1.1 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 硅(锗)的原子结构 简化 模型 惯性核 价电子 (束缚电子) 1、半导体的原子结构 2、本征半导体的晶体结构 硅(锗)的共价键结构 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 3、本征半导体的导电情况 自 由 电 子 空 穴 空穴 空穴可在共 价键内移动 当温度为绝对零度以下时，该结构为绝缘体 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴) 本征激发： 复 合： 　　自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 漂 移： 　　自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 　　在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 载流子 ： 　　自由与动的带电粒子 两种载流子 电子(自由电子) 空穴 两种载流子的运动 自由电子(在共价键以外)的运动 空穴(在共价键以内)的运动 结论： 1.