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双极型三极管与场效应三极管的比较 耦合方式：阻容耦合；直接耦合；变压器耦合；光电耦合。 耦合：即信号的传送方式。 （三）多级放大器及其耦合方式 1、阻容耦合： (1) 由于电容的隔直作用，各级放大器的静态工作点相互独立，分别估算。 (2) 不能传输直流及低频信号。 (3) 后一级的输入电阻是前一级的交流负载电阻。 (4) 总电压放大倍数=各级放大倍数的乘积。 (5) 总输入电阻 ri 即为第一级的输入电阻ri1 。 (6) 总输出电阻即为最后一级的输出电阻。 2、直接耦合: 直接耦合可放大微弱的直流信号或变化缓慢的信号 零点漂移 多级放大器的静态工作点、电压放大倍数、 输入电阻、输出电阻等的计算比较复杂 直流电平互相影响 问题： ——差分放大器 温度漂移（温漂） （四） 放大电路的频率响应 1、共射电路的耦合电容是引起低频响应的主要原因, CE影响较大; 三极管的结电容和分布电容是引起放大电路高频响应的主要原因 仅考虑C1的影响： 仅考虑C2的影响： 仅考虑CE的影响： f f -135° -180° fL 0.1fL 10fL 3dB 0 -90° -225° -270° fL 0.1fL 10fH 2.共基放大电路没有密勒电容，上限截止频率很高。 3.共集放大电路密勒电容小，上限截止频率也较高。 5 场效应管放大电路 一、场效应管的类型、结构、原理与特性： 类型： 结型： N沟道 P沟道 绝缘栅型：增强型： N沟道 P沟道 耗尽型： N沟道 P沟道 １、结型： N P P G(栅极) D漏极 S源极 D G S D G S D G S P沟道 N沟道 予夹断曲线 vGS=0V -2V -1V -3V -4V -5V 可变电阻区 夹断区 恒流区（饱和区） 输出特性曲线 iD v DS 0 2、绝缘栅型： N沟道 P沟道 增强型 N沟道 P沟道 耗尽型 P N N G S D P N N G S D + + + + + + 绝缘栅 增强 型 N 沟 道 P 沟 道 绝缘栅耗 尽 型 N 沟 道 P 沟 道 （1）夹断电压VP或开启电压VT ： （2）饱和漏极电流IDSS: （3）直流输入电阻RGS（DC）：栅压除栅流 3、 主要参数： A、直流参数： （1）最大漏极电流IDM: （2）最大耗散功率PDM: （3）击穿电压：V（BR）DS、V（BR）GS B、交流参数： （1）低频跨导gm: （2）输出电阻rd: C、极限参数： 详见p210表5.1.1 适宜大规模和超大规模集成 不易大规模集成 集成工艺 N沟道 P沟道 耗尽型： N沟道 P沟道 增强型： N沟道 P沟道 绝缘栅 场效应三极管 双极型三极管 结型 NPN型、 PNP型 结构与分类 D与S有的型号可倒置使用 C与E一般不可倒置使用 使用 多子漂移 多子扩散少子漂移 载流子 电压输入 电流输入 输入量 电压控制电流源 电流控制电流源 控制 易受静电影响 不受静电影响 静电影响 几兆欧姆以上 几十到几千欧姆 输入电阻 较小，且有零温度系数点 受温度影响较大 温度特性 较小 较大 噪声 二、场效应管放大电路及分析： （1）自偏置电路： 2、共源放大电路： 1、方法： （１）图解分析法： （２）小信号模型分析法： S S D Ｇ gmVGS VGS ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 去掉CS: (2) 分压式自偏压电路 小信号等效电路 3、共漏放大电路： Rg2 Rg1 Rg3 R RL VDD Cb2 Cb1 vi vo Rg1 Rg2 Rg3 R RL + vi - + vo - g d s gmvgs + vgs - ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 4、共栅放大电路： Ro≈Rd 1、几个概念： 差模输入信号： ui1 =- ui2 =uid /2 大小相等，极性相反 ui2 + - uid + - 共模输入信号： ui1 = ui2 = ui C 大小相等，极性相同 ui2 RC1 R11 T1 RB1 +VCC uo RC2 R12 T2 RB2 ui1 + - + - + - RC1 R11 T1 RB1 +VCC uo RC2 R12 T2 RB2 ui1 + - + - + - ui2 uic + - 6 模拟集成电路 一、 差放电路： 2、电路： （1）基本差分放大器： ui2 + - uid + - ui2 RC1 R11 T1 RB1 +VCC uo RC2 R12 T2