模拟电子电路2章3201203西北工业大学.pptVIP

2.4.5 温度对BJT参数的影响 1. 温度变化对ICBO的影响 2. 温度变化对输入特性曲线的影响 温度T ? ? 输出特性曲线上移 温度T ? ? 输入特性曲线左移 3. 温度变化对? 的影响 温度每升高1 °C ， ? 要增加0.5%?1.0% 温度T ? ? 输出特性曲线族间距增大 总之： ICBO ? ? ICEO ? T ? ? UBE ? ? IB ? ? IC ? ? ? 2.4.5　晶体管的近似伏安特性和简化直流模型 近似伏安特性 简化直流模型 0 u CE i C I III II U CE(sat) 0 u BE B III I ， II U BE(on) 放大区 I B U BE(on) b c e B I b I 饱和区 U BE(on) b c e II U CE(sat) 截止区 b c e III N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场 效 应 管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 2-5 场效应管 场效应管 是利用改变电场来控制固体材料导电能力的 有源器件。 时 沟道不存在 时 沟道存在 2-5-1 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 2-5-1 JFET的结构和工作原理 2-5-2 JFET的特性曲线及参数 N 基底 ：N型半导体 P+ P+ 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 导电沟道 1.结构（以N沟道JFET为例） 2-5-1 结型场效应管 S-----称为源极 D-----称为漏极 G-----称为栅极 1.结构（以N沟道JFET为例） 电路符号 （N沟道） N型两侧高浓度扩散两个 ，形成 ，中间为导电沟道。 两个 引一个电极，N区引两电极S、D。 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 1.结构 2-5-1 结型场效应管 D G S D G S N沟道JFET P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道JFET D G S D G S 2-5-1 结型场效应管 基底 ：P型半导体 UDS=0V时 N G S D UDS -UGS N N P P ID PN结反偏， |UGS |越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 2.工作原理（以N沟道JFET为例） 2-5-1 结型场效应管 -UGS UDS=0V时 N G S D UDS N N ID P P 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 |PN结反偏，|UGS |越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄，电阻越大。 N G S D UDS -UGS P P UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压UP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID UGS(off) N G S D UDS -UGS UGSUP且UDS0、UGDUP时耗尽区的形状 P P 越靠近漏端，PN结反压越大 ID UDS≠0时 P G S D UDS -UGS UGSUP且UDS较大时UGDUP时耗尽区的形状 P P 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID VDS≠0时 G S D UDS -UGS UGSUp UGD=UP时 P P 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID G S D UDS -UGS UGSUp ,UGD=UP时 P P 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID 总结： （两个因素） N G S D VDS -VGS N N P P ID 2.工作原理（以N沟道JFET为例） 2-5-1 结型场效应管 对 控制作用。 ① 对 的影响。 ② 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受UGS控制 预夹断前iD与UDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ 3、 JFET的特性曲线及参数 2）. 转移特性 VP 1）. 输出特性