模拟电子技术基础第2章111.pptVIP

第二章 基本放大器 2.1 放大电路的基本概念及性能指标 2.2 单管共射放大电路的工作原理 2.3 放大电路的图解分析法 2.4 放大电路的模型分析法 2.5 共集和共基放大电路及BJT电流源电路 2.6 多级放大电路 2.7 BJT放大电路的频率响应 二.放大电路的主要技术指标（交流） 根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的要求，放大器可分为四种类型，所以有四种放大倍数的定义。 2.2 单管共射放大电路的组成及工作原理 三极管工作在放大状态： 发射结正偏且UBE大于门坎电压， 集电结反偏。 图解法也可以分析加入交流信号的情况，也即在特性曲线基础上作负载线，再作分析，但我们发现，交流信号走的路和直流不同，直流不走负载，交流要走负载。这意味着线性部分的电路不同，方程不同，负载线不同，要进行交流分析 ，就要先找到这条线，叫交流负载线，下面要先研究交流负载线。既然是交流问题，就要牵扯到交流通路了…… 研究交流问题，要画出交流通路。 交流电阻——交流指标 多元函数——全微分 补充两个稳定工作点的电路：见讲稿。(学时少，可不讲) 改用小写的ui , uo 近似估算法 图解法 微变等效电路分析法 静态分析 静态动态分析 动态分析 简便、实用 直观、全面 简单、实用 输入电阻： (Rb=Rb1// Rb2) 存在Re，使Ri增大。 + + β e b c R i R Re b1 be r R C + - L R - + b2 R R i . Ib . IC . Ii . Ib . Ui . UO be r (1+β) Re R i . Ib Ie 输出电阻： + + β e b c Rb1 Re be r RC + - L R Rb2 . Ib . IC . Ib . UO + + S + - u RS IO . ≈0 ≈0 RO RO ′ ce r 旁路电容 ＋ 口述物理机理：温度上升，载流子运动加剧，单位时间内通过PN结的电荷量大，电流IE大，IB大（UBE不变的前提） 口述物理机理：温度上升，ICBO大，ICEO大； 温度上升，载流子运动加剧，B区复合机会减少，IB略少，IC略多（IE一定），电流放大倍数=IC/IB略大。 不需要考虑跟踪效果，自动跟踪——IC变化大，后面一系列变化都大， IC变化小，后面一系列变化都小。 不过，效果与电阻RE的大小有关，大好。 与UB有关，稳定，才可以使UBE变化明显。 需进一步作定量讨论：直流工作点——直流分析；交流指标——交流分析。但是，三极管是非线性元件，不可直接计算，要用特殊方法（近似）处理： 近似估算法（直流模型法）、图解法、微变等效电路法（交流模型法）。 放大器包括：基本放大器、场效应管放大器、差动放大器、功率放大器、反馈放大器、集成运算放大器。基本放大器是最基本、简单的。 本章介绍三种连接方式的基本放大器，同时介绍概念及几种基本方法。 新学期开始了，但我们的课算是老课程，分两部分：模拟、数字。上学期学习了数字，这学期将学习模拟，模拟是怎样的电路，与数字有什么区别？先作一比较：…… 可见模拟与数字差别很大，除所用元件相同外，几乎无相通之处，要换一种思路，且较难。但积极的方面看，若数字学不好不会影响模拟，可以重新开始。 介绍本学期教学安排：课本内容除1、10章。另外有实验、课设、计算机辅助分析。 在IT领域，硬件的发展遵循“摩尔定律”按指数规律增长，即1.5年集成电路的集成度翻一番,而现在，英特尔最新的Itanium芯片上有17亿个硅晶体管。  １９６５年４月，英特尔公司的创始人之一，当时还是仙童公司电子工程师的摩尔在《电子学》杂志上发表文章预言，半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年翻一番。 　　１９７５年他又提出修正说，芯片上集成的晶体管数量将每两年翻一番。 　　当时，集成电路问世才６年。摩尔的实验室也只能将５０只晶体管和电阻集成在一个芯片上。摩尔当时的预测听起来好像是科幻小说；此后也不断有技术专家认为芯片集成的速度“已经到顶”。 　　但事实证明，摩尔的预言是准确的。尽管这一技术进步的周期已经从最初预测的１２个月延长到如今的近１８个月，但“摩尔定律”依然有效。目前最先进的集成电路已含有１７亿个晶体管。 ，1929年出生，现（2006年）任公司的名誉主席。 学习模拟电路要注意几点： 1.模拟电路有许多分立元件电路，对其要求更高，要从多方面介绍：结构、元件作用、工作原理、参数指标的定量计算、性能特点、基本应用等。大家要从这些方面熟练掌握电路。 2.还要注意模块化的特点，熟练基本模块。 3.关注