硅集成电路工艺基础2分析.pptVIP

1 预氧化清洗 硅清洗工艺的基本准则是消除表面有机物、过渡金属、碱性离子和颗粒。清洗工艺由两步组成。第一步除去硅表面的有机物玷污，第二步通过形成金属络合物除去金属玷污。为了除去在第一步中生成的氧化硅，常增加一个中间步，用稀释的HF酸漂洗。 2 工艺与栅氧化硅质量的关系 栅氧化温度对栅氧化层质量有着重要的影响，高温氧化可得到具有较少界面态和较少固定电荷的更光滑的界面。因此为使栅氧化层有良好的特性和可靠性，应采用高温氧化，高温快速热氧化更适用ULSI中的MOS器件的栅氧化层生长工艺。 3 用化学方法改进栅氧化层 化学改进的立要目的是引入可控的杂质量，借以改进界面的特性，这些特性对SiO2的性能和可靠性是至关重要的。 Si-SiO2界面区由非理想配比单原子层和10-40?厚的应变SiO2层组成．非理想配比的单原子层起因于不完全氧化，应变区起因于硅和SiO2之间的晶格失配引起的压应力。为了改进电或辐射应力下MOS器件的可靠性， Si-SiO2界面本征应力的弛豫是一个重要技术。由于张应力存在于Si3N4-Si系统，因此掺入少量的氮可以抵消Si-SiO2界面的压应力。同样，加氟也可起到驰豫应力的作用。 4．CVD和叠层氧化硅 为了抑制与击穿有关的氧化硅薄膜缺陷密度，CVD氧化硅是一种更好的工艺，因为CVD氧