微电子工艺-PRINT..pptVIP

* 电流方向 VMCZ 1）纵向磁场 HMCZ 2）横向磁场 3）尖角形磁场 各种MCZ炉的磁场分布 轴向 北京有色金属总院采用MCZ法生产的12吋硅棒，等经长400mm，晶体重81Kg。 * 2.2 多晶与单晶均由夹具夹着，由高频加热器产生一悬浮的溶区，多晶硅连续通过熔区熔融，在熔区与单晶接触的界面处生长单晶。 熔区的存在是由于融体表面张力的缘故，悬浮区熔法没有坩埚的污染，因此能生长出无氧的，纯度更高的单晶硅棒。 * 悬浮区熔装置示意图 CZ工艺成熟，可拉出大直径硅锭是目前采用最多的方法，但有氧。 MCZ能生长无氧、均匀好的大直径单晶硅棒。设备较直拉法复杂得多，强磁场的存在使得生产成本也大幅提高。 悬浮区熔法与直拉法相比，去掉了坩埚，能拉制出无氧高阻单晶，当前FZ硅的电阻率可达5000Ω·cm以上 * 不同生长技术可获得的最小载流子浓度 2 切片工艺流程： 单晶生长 → 切断 → 滚磨 → 定晶向 → 切片→ 倒角 → 研磨 → 腐蚀 → 抛光 →清洗 → 包装 * * 硅片主要晶向、晶型的定位平边 用X射线衍射确定晶向，X射线被晶体衍射时，通过测量衍射线的方位可以确定出晶体取向 切片，（111）（100）切片偏差小于±1°，但外延用（111）片应偏出3±0.5°。 倒角，将切割好的晶片的锐利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生 抛光，单晶硅片表面