CVD与薄膜工艺章20140226.pptVIP

化学气相淀积与薄膜工艺Chemical Vapor Deposition Thin Film Technology 孟广耀Tel mgym@ustc.edu.cn 中国科学技术大学 材料科学与工程系 USTC固体化学与无机膜研究所 （2015-03-09） Ch.2 化学气相淀积的化学原理和装置技术 2.1 CVD的化学反应体系 －（1） 热解反应 2.1 CVD的反应体系-热解反应（续） 2.1 CVD的反应体系－热解反应续） 2.1 CVD反应体系－（2）化学合成反应 化学合成反应： 不受源的性质影响，适应性强 化学合成反应示例_同一材料有多种合成路线 2.1 CVD反应体系－（3）化学输运反应 定义：把所需要的物质当做源物质。借助于适当气体介质与之反应而形成一种气态化合物，这种气态化合物经化学迁移或物理载带(用载气)输运到与源区温度不同的淀积区，再发生逆向反应，使得源物质重新淀积出来，这样的反应过程称为化学输运反应。上述气体介质叫做输运剂，所形成的气态化合物叫输运形式。例如： ZnS与I2作用生成气态的ZnI2；在淀积区(温度为T1)则发生与源区(温度为T2)输运反应(向右进行)反向的反应，源物质ZnS重新淀积出来(向左进行)，ZnS或ZnSe重新淀积出来。Sch?fer曾收集了1964年以前的上百种元素和化合物的数百个输运反应，这十多年来又有了更为广泛的发展和应用。 化学输运反应和新型无机材料制备 2.2 CVD 装置系统及其相关技术 2.2 CVD源的输运 2.3 CVD的反应器设计 1. 反应器构型： 开放式和封闭式两种基本构型 开管气流法：水平式， 立式 和 筒式 封管输运法：ZnS， CdSe， GaAs 等单晶制备 热丝法： SIH4 热解生产高纯硅 2. CVD 能量提供 方式: 电炉外热和感应加热: 传统 CVD技术 光辐射辅助：Laser Assisted CVD(LACVD)- 和 photo CVD 等离子体辅助（激活）:PACVD， PECVD 3. 与其他技术的整合与集成, 如与PVD- 溅射、蒸发，电子束、离子束相结合： 反应溅射，分子束外延（MBE）， 2.4 CVD技术分类 （历史性发展） M(DPM)n的结构： 金属DPM螯合物的制备流程图: M(DPM)n的表征手段： M(DPM)n的热解过程： 老化后M(DPM)n的红外光谱： MOCVD Growth Ga(CH3)3 + AsH3 ? 3CH4 + GaAs 气相外延砷化镓单晶薄膜 SiHCl3+H2=Si+3HCl(热丝CVD） CVD课程第2章 Plasma-Enhanced CVD ECR-CVD(ECR: electron cyclotron resonance) MBE Growth PECVD (plasma enhanced CVD) LPCVD (low pressure CVD) APCVD (Atmospheric pressure CVD) The MOCVD growth system（Georgia Tech.） 实验室CVD设备（1） 实验室CVD设备（2） 实验室CVD设备（4） Low-Pressure CVD System 本章结语 CVD反应体系及其源物质的选择决定了CVD工艺的成功和材料质量与成本的未来。 新源的研制和表征是CVD创新的基楚。 实现CVD反应须科学而精心地设计CVD装置，包括源的输运和调控，反应器的设计，淀积过程能量的提供方式。 各种现代技术与CVD的结合是CVD不断创新的重要途径，数十年来已经发展了多种新型的CVD技术，且仍在不断发展。 要想把握CVD过程，完全控制CVD过程，取得高质量材料层，还必须对CVD的内在原理-热力学、动力学与机制等进行探讨，这是后面要讨论的问题。 课程论文选题参考 课程论文选题参考 谢谢大家的关注和注意听讲！ 氯硅烷氢还原法生产多晶硅装置简图 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 碘封管化学输运生长硒化锌单晶 USTC固态化学与无机膜研究所 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 Ultra high vacuum Mass spectrocopy Auger electron spectroscopy Low energy electron diffraction Reflection high energy electron diffraction X-ray and Ultraviolet photoemission spectroscopy Ref: Yu-Ca