能源导致全球气候变暖.docVIP

硅中的缺陷和硅片热处理 摘 要: 本文评述了近年来着重研究的COP、LSTD、FPD 和BMD 等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷, 提高GOI合格率的实验结果。研究表明, 硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径。 1 引 言 90 年代大规模集成电路的发展依然遵循摩尔定理， 每3年器件的尺寸缩小1/ 3,芯片的面约增加1.5 倍， 芯片中的晶体管数增加4 倍，现在已进入线宽0.18um 的特大规模ULSI 领域。随着集成电路的飞速发展对ULSI 用的硅片质量提出了更高的要求。归纳起来就是要求硅片的晶格缺陷更少以及对器件有害的杂质含量更低。研究表明, 缺陷的尺寸在ULSI 特征线宽的1/ 3 以上时, 就成为致命的缺陷[1] , 会导致器件失效。要提高硅片的质量， 满足集成电路的要求，一方面要改进拉晶的工艺和硅片加工的质量， 另一方面应用80 年代提出的缺陷工程[ 2] 来改善硅片的质量。缺陷工程广泛用于硅片生产和集成电路制备过程中的是内吸除和外吸除技术。硅片背面淀积多晶硅、背面软损伤等是已经在生产中应用的外吸除技术，用三步法退火利用硅片中氧在硅片体内形成高密度的氧沉淀——体微缺陷( BMD)起杂质吸除中心而在硅片表面形成一层洁净区称之为吸除， 通常称为氧本征吸除[3] ，这也是常用的提高硅片质量的一种吸除技术。使用内吸除技术需要高氧含量的