三福化工特殊化学品事业部化学品简介课件.pptVIP

三福化工特殊化學品事業部化學品簡介 1. Developer (顯影液) TMAH (氫氧化四甲基銨) KOH (氫氧化鉀) NaOH (氫氧化鈉) Na2CO3 (碳酸鈉) 2. Etchant (蝕刻液) Oxalic acid (草酸) H3PO4 (磷酸) HNO3 (硝酸) Acetic acid (醋酸) HF (氫氟酸) 3. Stripper (光阻剝離劑) DMSO (二甲基亞碸) BDG (二乙二醇單丁醚) MEA (DEA TEA) (單乙醇胺) NMP (氮-甲基四氫吡咯酮) HA (羥胺) 4. Thinner EBR (光阻稀釋劑與洗邊劑) PGME (丙二醇單甲醚) PGMEA (丙二醇單甲醚醋酸酯) ANONE (環己酮) NBAC (醋酸丁酯) 半導體製程簡介 半導體製程簡介 1. Developer (顯影液) 用途 利用鹼性顯影液將光阻(PR, Photo Resist)經曝光後形成的有機酸中和、剝落，留下未反應的光阻圖案。 主要成分 ※TMAH KOH NaOH Na2CO3 1-1. 25%TMAH 中文名稱：25%氫氧化四甲基銨 英文名稱：25%Tetramethylammonium hydroxide 危害性 / 毒性等級：強鹼性(第八類腐蝕性物質) / 具急毒性 LD50 oral rat：50 mg/kg 物理性質 分子式 / 結構式：C4H13NO / (CH3)4NOH 分子量：91.15 (g/mole) 熔點：--- 沸點：～100 ℃ 閃火點：--- 自然溫度：--- 爆炸界限：--- 比重：1.02 溶解度(H2O/20 ℃)：全溶 pH值：13 (強鹼性) CAS No.：75-59-2 UN：1835 別名：TMAH 全球各廠TMAH產能 台灣TMAH進口量與價格(歷年) 台灣TMAH進口量與價格(各國) TMAH來源與產能 三福 : 7,500 mt/y 大陸杭州 (格林達) 未來TMAH擴產計劃 2008-Q1 : 5,000 mt/y 台灣台南科學園區 2008-Q3 : 7,000 mt/y 大陸杭州蕭山 (格林達) 2008-Q4 : 7,000 mt/y 大陸杭州蕭山 (格林達) 2008-Q4 : 5,000 mt/y 台灣台南科學園區 三福化工台南科學園區TMAH廠 25%TMAH規格(電子級) 各廠牌TMAH規格比較 TMAH實績 LCD 奇美電子、廣輝電子、友達光電、中華映管、群創光電、元太科技、久正光電、彩煇科技 LED 晶元光電、光磊科技、元砷光電、連勇科技、燦圓光電、光磊科技、洲磊科技、泰谷光電、全新光電、炬鑫科技、友嘉科技、廣鎵科技、新世紀光電 其他 多聯科技、台灣東進、銓品國際、永榮化學、永德化學、三喬貿易、和鴻國際、合皓股份、陸肯特 TMAH應用 顯影液(電子業) 電鍍液 2. Etchant (蝕刻液) 用途 蝕刻未受光阻保護的金屬，留下受光阻保護的金屬線路圖。 主要成分 ITO蝕刻液 草酸 鋁蝕刻液 磷酸/硝酸/醋酸 2. Etchant (蝕刻液) ※Oxalic acid (草酸) ※磷酸 硝酸 醋酸 氫氟酸 2-1.草酸基本性質 中文名稱：草酸 英文名稱：Oxalic acid dihydrate 危害性 / 毒性等級：酸性(第八類腐蝕性物質) / 2 LD50 oral rat：7,500 mg/kg 物理性質 分子式 / 結構式：C2H4O?2H2O / (COOH)2 ?2H2O 分子量：126.03 (g/mole) 熔點：101℃ 沸點：150 ℃ 閃火點：--- 自然溫度：--- 爆炸界限：--- 視密度：900 kg/m3 溶解度(H2O/20 ℃)：10.2% pH值：1 CAS No.：6153-56-6 UN：--- 別名： 草酸應用 電子業用ITO蝕刻液 醫藥中間體 電容器 生產電池用的鈦酸鋇 稀釷金屬提純 特殊酚醛樹脂 3. Stripper (光阻剝離劑) 用途 去除蝕刻完的光阻(PR)，使受光阻保護的圖案(金屬線路)顯現出來。 主要成分 N-300 (三福品名：BM-73) BDG / MEA = 70 / 30 TOK-106 MEA / DMSO = 70 / 30 3. Stripper (光阻剝離劑) ※DMSO (二甲基亞碸) ※BDG (二乙二醇單丁醚) ※MEA (單乙醇胺) DEA (二乙醇胺) TEA (三乙醇胺) ※NMP (氮-甲基四氫吡咯酮) HA (羥胺) 3-1. DMSO基本性質 中文名稱：二甲基亞碸 英文名稱：Dimethyl sulfoxide 危害性 / 毒性等級：非危險物品 / F LD50 oral rat：14,500 mg/kg 物